高速PCB板DDR5数据信号的长STUB要背钻吗?

高速先生成员:周伟

上一篇文章 过孔Stub对ddrx地址信号的影响 提到过后面会有stub对数据信号的影响,今天我们就一起来看看吧。

  

前文通过几个仿真例子看到,长stub对3200Mbps以内的DDRx地址信号来说有一定的好处,对于速率不是那么高的信号(不超过8Gbps),如DDR4、DDR5甚至LPDDR5,我们是否可以把这个结论再扩展到速率更高的数据信号上呢?于是我们又做了如下一些仿真来看看长短stub在更高速率的数据上的一些对比。

还是上文同样的叠层和驱动,接收采用ODT60,在数据率为2400Mbps的时候仿真出来的数据眼图如下图1所示。 

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图1 速率2400Mbps时数据信号写眼图

红色L14层走线的眼图看起来眼高更高,jitter也小点,对应的斜率也大一点,说明长stub对数据信号在2400Mbps的速率下基本没什么影响,甚至还会稍微好点。进一步把速率提高到3200Mbps,其他不变的情况下长短stub的眼图仿真结果如下图2所示。

 

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图2 速率3200Mbps时数据信号写眼图

可以看到速率上来之后,短stub的优势慢慢开始体现出来了,眼高和眼宽都稍微比长stub的布线层信号要好。

我们接下来再看看DDR5 6400Mbps速率的情况,于是其他条件都不变,只是将速率提升到6400Mbps,颗粒模型也换成支持DDR5的,仍然采用ODT60的端接,仿真后波形如下图3所示。

 

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图3 速率6400Mbps时数据信号写眼图

从仿真结果可以看出,速率提升到6400Mbps时,长stub的L14层走线信号眼图急剧变差,眼高和眼宽都明显小于短stub的L5层走线,说明DDR5的数据信号还是要适当考虑stub的影响,PCB设计时就要考虑stub较短的层面。

    同时我们又验证了某广泛使用的FPGA支持DDR5信号的模型,在其他不变的情况下只是换了主控的模型,仿真结果如下图4所示。

 

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图4 另一驱动速率6400Mbps时数据信号写眼图

换了驱动后,仿真结论还是一样的,长stub的信号沿变缓了很多,导致眼高和眼宽都变小了。

   考虑到现在LPDDR5的应用也越来越多了,且我们也已经仿真过很多啦,接下来我们就用LPDDR5模型再来验证一下长短Stub的影响。拓扑还是不变,驱动和接收换成支持LPDDR5的模型,在数据速率8533Mbps 时不开均衡的仿真对比结果如下图5所示。

 

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图5 速率8533Mbps时数据信号写眼图

可以看到有长stub的L14层信号的眼图急剧变差,jitter变大了很多,比短stub的L5层走线的信号眼高和眼宽都小了,裕量相对变少,说明速率越高后stub的影响还是比较大,此时尽量保持短stub层走线,至于是否一定要背钻,还是要看情况,大多数情况下还是可以不用的,毕竟背钻需要额外增加成本,可以优先走stub短的层。如果实在避免不了长stub的层,我们还是可以参考高速信号stub长度的经验,当stub长度(单位mil)超过1.5倍的300/信号速率(单位Gbps),尽量或必须背钻。不考虑成本的情况下,当stub长度(单位mil)超过300/信号速率(单位Gbps)时就可以做背钻了。

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说到长stub就想到了背钻,大家一起来说说国内板厂经背钻后的stub长度还剩多少?欢迎吐槽

 关于一博:

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<think>嗯,用户这次的问题很专业,是关于DDR数据线传输率与PCB设计的关系。看来用户已经理解了DQ线的基本概念,现在想深入探究硬件实现层面的影响。 从用户引用的资料来看,ta手头应该有一些技术文档,特别是引用[2]提到DDR5的双通道设计和PCB走线优化,说明用户关注的是高速信号完整性方面的工程实现。用户之前问过DQ线的定义,现在自然过渡到物理实现的影响因素,这种学习路径很符合硬件工程师的思维习惯。 用户可能正在做DDR相关的PCB设计,或者遇到了信号完整性问题。ta特意强调“不是真正的需求”,说明引用内容只是景资料,核心诉求是理解PCB如何影响传输率。这需要从信号完整性三大要素展开:阻抗控制、时序匹配和噪声抑制。 值得注意的是用户引用的DDR6信息有误——目前只有DDR5标准,但双通道架构的描述是正确的。在回答时需要委婉纠正但不影响核心论点。另外用户似乎更关注设计规范而非理论推导,所以应该多给出具体参数值(如阻抗容差、度匹配范围)而非抽象原理。 上次回答中关于DQS与DQ同步的时序图得到用户认可,这次可以延续可视化风格。但需要增加PCB层面的元素:比如蛇形走线示意图、参考层分割的影响等。数学表达要控制深度,重点用$t_{skew} = \frac{\Delta L}{v_p}$这类直观公式。 用户可能后续会问具体仿真方法,所以结尾问题要引导到设计验证方向。考虑到ta引用FPGA内容,补充DDR控制器与PCB协同设计也很必要。</think>DDR内存数据传输速率与PCB设计密切相关,以下从信号完整性角度分析关键影响因素及优化措施: --- ### 一、PCB设计对DDR传输速率的核心影响机制 #### 1. **信号完整性劣化根源** $$ \text{传输速率} \propto \frac{1}{\text{时序容限}} \quad \text{且} \quad \text{时序容限} \propto \text{信号质量} $$ - **高速瓶颈**:当DDR频率超过1600MHz时,单比特时间窗<$0.6ns$(如DDR4-3200为$0.3125ns$),PCB微小缺陷即可导致采样失败[^1][^2] #### 2. **关键影响因素与量化关系** | 影响因素 | 作用机制 | 速率限制表现 | 设计容差要求 | |------------------|--------------------------------------------------------------------------|----------------------------------|----------------------------| | **阻抗失配** | 阻抗突变处产生信号反射,造成数据眼图闭合 | 误码率(BER)上升 | 单端$50\Omega \pm 10\%$[^2] | | **时序偏移(skew)** | DQ/DQS信号传播延迟差异导致采样窗口偏移 | 建立/保持时间违例 | DQ组内度差<$\pm 5$mil | | **串扰噪声** | 相邻信号线电磁耦合引入噪声 | 信号电平畸变 | 线间距≥3倍线宽 | | **损耗衰减** | 介质损耗($\tan\delta$)和导体损耗随频率升高加剧,信号高频分量衰减 | 上升沿退化,时序裕量压缩 | 选用超低损耗材(DF<0.005) | --- ### 二、PCB优化设计关键技术 #### 1. **拓扑结构与端接优化** ```plaintext DDR控制器 ──► 点对点拓扑 (DDR4/DDR5) │ ├─ 源端串联电阻(22Ω~33Ω) └─ 末端并行端接(VTT) ``` - **DDR5双通道优势**:独立32位通道减少总线负载,阻抗更易控制[^2] - **端接电阻计算**:$R_{term} = \sqrt{L/C}$ 匹配传输线特征阻抗 #### 2. **时序控制核心措施** - **等设计**: - DQS组内DQ度差:$\Delta L \leq \frac{0.15 \times c}{f_{\text{max}}}$ (c为光速) - 例如DDR4-3200要求$\Delta L < 0.6mm$ - **蛇形绕线规则**: ```plaintext ┌───────────────┐ │ 振幅A≥3W │← 避免锐角 │ 间距S≥4W │ └───────────────┘ ``` (W为线宽,避免直角走线) #### 3. **叠层与参考面设计** | 层序 | 功能 | 关键要求 | |------|---------------------|-----------------------------------| | L1 | 信号层(DQ组) | 下方为完整地平面 | | L2 | 接地层(GND) | 提供低阻抗回流路径 | | L3 | 电源层(VDDQ) | 与GND层间距<0.2mm | | L4 | 信号层(CA总线) | 避免跨分割区 | > **跨分割修复**:在信号跨分割区添加缝合电容($0.1\mu F$)[^2] --- ### 三、高速设计实例分析(DDR4 vs DDR5) | 参数 | DDR4-3200 | DDR5-6400 | PCB设计差异 | |-------------------|-------------------|-------------------|----------------------------------| | **数据速率** | 3200 MT/s | 6400 MT/s | 材损耗要求提高50% | | **通道结构** | 单64位通道 | 双32位通道[^2] | 布线复杂度增加但阻抗更易控制 | | **电压容限** | ±5% | ±3% | 电源完整性要求更严格 | | **眼图要求** | 80mV高度 | 50mV高度 | 需采用预加重/均衡技术 | > **损耗补偿技术**: > DDR5采用**决策反馈均衡(DFE)** 抵消信道损耗: > $$ y(t) = x(t) + \sum_{k=1}^{N} c_k \cdot x(t-kT) $$ > ($c_k$为抽头系数,$T$为符号周期) --- ### 四、设计验证方法 1. **仿真阶段** - 使用SI/PI工具进行3D电磁场仿真 - 评估指标:眼图宽度 > 0.4UI,高度 > 信号幅值40% 2. **实测手段** - 示波器测量建立/保持时间裕量: $$ t_{\text{setup}} > t_{\text{min}}, \quad t_{\text{hold}} > t_{\text{min}} $$ - TDR测试阻抗连续性:上升沿波动 < 5% --- ### 五、前沿优化技术 1. **技术(Back Drilling)** 去除通孔未使用部分的残桩(stub),减少$>10GHz$频段的谐振 2. **混合堆叠设计** 将DDR颗粒置于PCB面,缩短互连度30%~50% 3. **玻璃纤维编织效应补偿** 采用**交织角(±15°)** 走线避免周期性阻抗波动 > **总结**:PCB设计通过控制阻抗连续性、时序同步性及噪声抑制,直接决定DDR能否达到理论传输速率。随着DDR5/6速率提升至$>8GT/s$,PCB已从连接载体演变为关键信号调理组件[^1][^2]。 ---
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