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拾贝于海
固件工程师
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常用内存参数-说明
与 tDQSH 类似,tDQSL 确保了DQS信号在低电平状态时能够维持足够的时间,以便数据能够被正确地从 SDRAM 中读出。它是从DQS的一个下降沿到下一个下降沿的时间,即DQS低电平的持续时间。在写操作中,tDQSH 确保了DQS信号在高电平状态时能够维持足够的时间,以便数据能够被正确地写入到 SDRAM 中。它是从DQS的一个上升沿到下一个上升沿的时间,即DQS高电平的持续时间。(DQS)信号高电平的有效宽度。(DQS)信号低电平的有效宽度。:这个参数描述了数据选通。:这个参数描述了数据选通。原创 2024-11-06 18:05:37 · 5130 阅读 · 0 评论 -
内存ODT匹配电阻 如何改善信号完整性的工作原理详解
有趣的是,因为传输线阻抗受温度影响,ODT补偿的时候,也需要根据运行时温度(一般上是越来越热的)来补偿ODT的阻抗,这个步骤通常是PCU来干的。然而,如果我们在纳秒级(十亿分之一秒)的时间尺度上观察电路,会发现一些有趣的现象:在开路的情况下,电流可能会暂时存在,而在短路的情况下,电压可能会暂时下降。当传输线末端开路的时候,信号电压在传输线上传播的时候,就像给一个个并联的电容充电,一节节像末尾穿过去,电荷在一节节电感正极传播,各个导线分节可以看做电荷中继的作用,这样一直到最后一节。,见推荐书籍)的反射。转载 2024-10-09 17:28:01 · 1878 阅读 · 0 评论
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