硬件工程师之电子元器件—二极管（2）之电气特性

最新推荐文章于 2025-01-08 10:01:19 发布

原创

最新推荐文章于 2025-01-08 10:01:19 发布 · 1.4k 阅读

13 ·

CC 4.0 BY-SA版权

文章标签：

#硬件工程 #智能硬件 #嵌入式硬件 #社交电子

写在前面

本系列文章主要讲解二极管的相关知识，希望能帮助更多的同学认识和了解二极管。

若有相关问题，欢迎评论沟通，共同进步。(*^▽^*)

二极管

5. 二极管的电气特性

二极管的主要电气特性包括正向电压、反向电流、终端电容、反向恢复时间等。

二极管的电气特性示例如下表所示。

表 3 二极管电气特性表

特性	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
正向电压	V(F)	I(F)＝1mA	-	0.61

最低0.47元/天解锁文章

确定要放弃本次机会？

福利倒计时

: :

立减 ¥

普通VIP年卡可用

立即使用

零零刷

关注关注

23
点赞
踩
13

收藏

觉得还不错? 一键收藏
0
评论
分享

复制链接

分享到 QQ

分享到新浪微博

扫一扫
打赏
打赏
打赏举报

举报

专栏目录

常用电子元器件的特性及使用办法

weixin_52125951的博客

04-13

3859

它具有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通电阻的优点，适合中高功率电子开关应用。（5）注意输入信号的幅度：晶体管的放大功能可以使得输入信号经过放大后输出更大的信号，但是如果输入信号的幅度超过了晶体管的最大承受范围，就可能会导致晶体管损坏。PNP晶体管也是一种三极管，与PNP晶体管不同的是，它的三个区域掺杂的材料类型相反。（1）正确选择晶体管型号：不同类型的晶体管有不同的特性和使用范围，需要根据具体的应用场景进行选择。通过选择不同类型和值的电容器，可以过滤特定频率范围内的信号，从而影响信号的形状和幅度。

硬件工程师之电子元器件—二极管（4）之热量对二极管温度特性的影响

零零刷的博客

11-15

1938

本文主要讲解二极管的热量对二极管温度特性的影响。

参与评论您还未登录，请先登录后发表或查看评论

二极管特性曲线

qq_43009770的博客

02-07

1万+

1、在U0且小于导通电压Uon时，通过二极管的电流很小，可以忽略成0。3、U>Uon后，二极管电流随着其两端的电压升高而升高，且斜率越来越大。

三极管输出和输入特性曲线人类语言（共射为例）

weixin_47205363的博客

10-13

5978

三极管输出和输入特性曲线分析（共射为例）一.ib和ube（输出特性曲线）。 1.横轴：ube 2.纵轴：ib 3.第三参数（一族变量）：uce。当uce为零，c和e极等于短路，为一点，三极管也就可以看成二极管。所以，uce为0的时候可以看成一个二极管的特性曲线。近似二极管ube增大，ib随着ube导通而出现，随后达到稳定。当uce增大，这里要考虑的开始多子和少子，也就是电子层级的关系，uce增大，ube最大值需要进行一些电场补偿，所以有了ube稳定增大的现象。二....

二极管的伏安特性曲线

m0_74279742的博客

10-09

5177

T升高→正向曲线左移，方向曲线下移（敏感）

二极管 原理、特性及应用

weixin_44178960的博客

11-19

1997

PN结是以硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等半导体材料为基底，分别掺杂了硼（B）等P型元素和磷（P）等N型元素，结合到一起的电子材料。其中P型半导体中的多数载流子是空穴，N型半导体的多数载流子为电子。两者结合在一起时，多数载流子会往浓度低的地方扩散，而多数载流子的扩散会导致P型半导体失去空穴后局域带负电，N型半导体失去电子后局域带正电，形成内电场，内电场阻碍扩散运动，同时使少子产生飘逸运动。。

硬件工程师之电子元器件—二极管（12）之ESD二极管在射频电路的应用

零零刷的博客

11-19

1469

本文主要讲解二极管中的ESD二极管在射频电路的应用和传输线脉冲测试。

硬件工程师之电子元器件—二极管（7）之肖特基二极管和快速恢复二极管

零零刷的博客

11-16

1266

本文主要讲解二极管中的肖特基二极管的正向电压和快速恢复二极管。

硬件工程师之电子元器件—二极管（11）之TVS二极管

零零刷的博客

11-19

1319

本文主要讲解二极管中的TVS二极管的选型、TVS二极管的电路板设计和TVS二极管耐受性。

二极管主要特性及伏安特性曲线

husion01的专栏

07-15

1万+

1、正向特性另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1

电工-实验图解二极管伏安特性曲线和主要参数

huahuihr的博客

09-14

3127

如下图所示为测试二极管伏安特性的原理电路，改变可变电阻的大小，就可以测出不同数值的端电压下流过二极管的电流，从而得到下右图所示的二极管伏安特性曲线。：加上方向电压时，只有很小的反向电流，并且它基本上不随电压变化，如曲线上Cd段和C’d’段，这种电流称为反向饱和电流。：最高反向工作电压为反向击穿电压的1/2倍（二分之一），而有些小容量二极管，其最高反向工作电压为击穿电压的2/3（二分之三）左右。：当反向电压超过某一数值的时候，反向电流突然猛增，这种现象称为反向击穿，如曲线e和e’以下的部分。

二极管特性曲线测试方法的研究和二极管特性的研究

qq_36228477的博客

10-03

2763

一、题目利用IV分析仪测量二极管的伏安特性二、测量方法及其步骤 1.选择元件:在 Multisim 主界面的左侧元器件栏中选择某种型号的二极管(Diode),如1N4148，将至电路图窗口。 2.选择仪器：在右侧仪器仪表栏中选择IV分析仪（IV-Analysis)，也将其至电路图窗口；打开IV分析仪，在仪器的Conponents栏选择 Diode,IV分析仪的右下角将显示出二极管管脚所接端子。 3.完成测试：单击Sim_Param，设置仪器参数；闭合仿真开关，即可

excel二极管伏安特性曲线_【电子知识点】半导体二极管&三极管

weixin_39634438的博客

11-22

908

半导体二极管的结构1.定义：在PN结两端分别引出一个电极，外加引线和管壳就构成半导体二极管。2，二极管结构: a特性:具有单向导电性 b符号:D(文字符号) c二极管的极性: 3.二极管的分类: 材料:硅二报管，锗二极管，用途:整流，稳压、开关、普通二极管结构:工艺、点接触型，面接触型，平面型a点接触型二报管特点：PN结面积小，结电容小，不能通过较大电流，高频性能好b....

认识二极管

patient_______的博客

06-19

7645

正向特性：u(D) > u(on)(导通电压)，V(+) - V(-) > u(on)(硅管0.7，锗管0.2)这时二极管导通，因为我考虑了导通电压，即二极管两端有电压(u(D) = u(on)),相当于一个小的电压源。反向电流I(R)：指未击穿的反向电流，我们希望I(R)越小，I(R)越小，二极管的单向导电性越好（对温度比较敏感）反向特性，二极管两端电压u(D) < 0, V(-) > V(+)，二极管截止，电流i(D) = 0;常温下（T = 300K）r(d) = V(T)/I(D)

二极管、三极管、场效应管的原理及特性