射频与微波电路制造技术详解
1. 电阻薄膜材料特性
在MMIC(单片微波集成电路)中,不同的电阻薄膜材料具有不同的特性,以下是常见电阻薄膜材料的相关参数:
| 材料 | 沉积方法 | 电阻率 (Ω/平方) | TCR (%/°C) | 稳定性 |
| ---- | ---- | ---- | ---- | ---- |
| Cr | 蒸发 | 10 - 1,000 | -0.100 到 +0.10 | 差 |
| NiCr | 蒸发 | 40 - 400 | +0.001 到 +0.10 | 好 |
| Ta | 溅射 | 5 - 100 | -0.010 到 +0.01 | 优秀 |
| Cr - SiO | 蒸发或粘结 | 高达 600 | -0.005 到 -0.02 | 一般 |
| Ti | 蒸发 | 5 - 2,000 | -0.100 到 +0.10 | 一般 |
| TaN | 溅射 | 50 - 300 | -0.01 到 -0.02 | 优秀 |
从这些数据可以看出,不同材料的电阻率、温度系数(TCR)和稳定性差异较大。例如,Ta 和 TaN 的稳定性优秀,适合对稳定性要求较高的电路;而 Cr 的稳定性较差,使用时需要谨慎考虑。
2. 掩膜设计与制造
2.1 掩膜布局
任何 MIC(微波集成电路)设计都始于电路原理图。完成电路设计后,绘制大致布局,接着获取精确的掩膜布局,用于混合 MIC 的单层掩膜或微型 MIC 和 MMIC 的一组掩膜。最后,使用这些掩膜对混合 MIC 基板进行蚀刻以获得所需图案,对于微型和单片 MIC,则使用一组