24、射频与微波电路中的集总元件及制造技术

射频与微波电路中的集总元件及制造技术

集总元件电路

在集总元件电路中，我们首先来看LC谐振收发（T/R）开关的性能。测量得到的输出功率/音调以及三阶互调抑制（IMR）与输入功率的关系显示，在约2GHz时，插入损耗优于2dB，隔离度优于30dB，其上升/下降时间特性与传统T/R开关相似。

移相器

移相器是T/R模块中的重要元件，相控阵雷达通过改变馈入或接收自每个辐射元件的射频信号的相位来实现波束扫描。这就需要可编程双向移相器，以在发射和接收模式下自适应调整收发器的相位。
- 类型 ：固态数字控制移相器主要有四种类型，分别是开关线、反射、加载线和低通/高通型。前三种类型可使用分布元件和集总元件实现，而低通/高通拓扑仅使用集总元件，非常适合窄带、宽带和紧凑尺寸的应用。
- 工作原理 ：数字相移通过连接在两个单刀双掷（SPDT）开关之间的低通网络的相位滞后特性和高通网络的相位超前特性来实现。小比特采用嵌入式FET类型，其中FET的电抗成为移相低通/高通网络的一部分。
- 比特设计 ：多位移相器中的数字比特通常具有二进制值。例如，4位移相器有180°、90°、45°、22.5°比特，5位移相器有180°、90°、45°、22.5°、11.25°比特。180°比特通常采用如图所示的开关低通/高通拓扑设计，90°及更小比特的最简单拓扑也有相应的设计。
- 180°比特计算 ：假设为理想开关，对于50V系统，L1、C1和L2、C2的值可通过以下公式计算：
[L1 = L2 = \frac{50