Boost电路的驱动电路

Boost电路故障排查
最新推荐文章于 2025-02-09 17:15:31 发布
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#boost #驱动光电耦合器TLP250

一般Boost电路的输出电压不对，多半原因出在了驱动电路上。因此可以先测驱动电压的信号，即用示波器测MOSFET的GS之间的信号，如果该信号也是方波并且频率也对，那就能用了。本人用的是光电耦合器TLP250来驱动MOSFET,光耦的作用就是输入一个PWM波(振幅是3-4V之间)，然后输出一个大电流，以此来加速MOSFET的开通和关断时间，以求减少开关损耗。还有就是在TLP250的输出脚和MOSGET的栅极之间的电阻的作用是在开关管开通关断瞬间起一下保护作用，只有在那一瞬间有电流。这个驱动电阻一般阻值在10欧左右，太大了会导致MOSFET的关断电压变小而导致关不上。
Boost升压电路调试
若星
11-15 4125
Boost升压电路调试
Boost电路项目实战：从原理到实战全解析（含电流环电压环）
最新发布
天空的蓝蓝的博客
09-27 1515
本文系统介绍了分立式BOOST开关电源的设计要点，包括：1）主电路工作原理与电压环控制；2）关键元器件（电阻、电感、电容、二极管、运放等）的选型方法与计算依据；3）环路补偿原理及解决右半平面零点的方法；4）电流控制模式的工作原理及与电压模式的对比；5）实际调试技巧如断续模式工作实现。重点分析了系统稳定性问题，详细阐述了极零点对相位裕度的影响机制，并提供了降低主控速度、提升反馈速度等解决方案。
基于Boost电路的大功率LED驱动的设计
01-25
随着全球能源的紧缺，温室效应的加剧，诸如太阳能、核能、风能、生物质能、地热能、海洋能、氢能等清洁新能源的研究逐渐加入了各国的可持续发展议程。高效率、低功耗、低投入、长寿命的大功率LED新型照明也应运而生。LED具有结构简单、无延迟、节能效果显著、重量轻、安全性能好、抗震、无污染、免维护和寿命长等特征。据国际权威人士预测,二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。用高效率的LED将取代白炽灯、卤素灯、钨丝灯、荧光灯将在照明产业掀起一场历史性革命。本文从LED在照明系统中应用的可行性入手，设计一种基于Boost电路的大功率LED驱动器，该驱动包括两部分，前端是AC-DC部分，由一个有EMI抑制的开关电源构成；中端是驱动部分，是一个Boost升压电路；末端是LED串，一共有12盏1W的LED串联构成，用开关构成三级调光。
BOOST DC-DC电源芯片资料
10-07
BOOST DC-DC芯片资料，可以实现高压转低压，高驱动电流
四种方法让你的Boost电路更安全
U_YAO的博客
06-01 4115
对于一般的保护电路而言，当输入欠压，过压，输出过流，短路，过压，过温度的时候，我们会要求电路会自动关闭输出，或实现打嗝式的保护，以利于后面的负载或电路受到及时的保护，避免损坏；但对于BOOST电路而言，因升压电感，输出整流二极管是串联在输入与输出的回路中，即使是完全关闭MOSFET的驱动，输出也会有一个比输入电压低电感直流压降跟二极管正向导通压降的电压，这也就是说不能完全关闭输出，没有达到我们想要的保护效果。由于输入是直流电，所以电感上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关。
boost采取什么驱动电路_当我们只是采取积极的意愿时会发生什么？
cuml0912的博客
06-23 353
boost采取什么驱动电路 我从不做新年的决议。 我从未理解过这个概念，从未感到过随着日历的变化而变化的动力，并且总是对“解决”变化的有效性持怀疑态度。 相反，我喜欢不断地检查自己的习惯，并思考如何才能更频繁地改善自己。 就是说，2016年是有趣的一年，而2017年伊始，我认为这是一个很好的机会，可以考虑如何对自己的生活各个方面的行为保持故意。 因此，这是我2017年开放式组织的决议：在...
boost电路
Mr.林先生的博客
07-05 3万+
参考文章： http://www.elecfans.com/dianzichangshi/20171103574422.html http://power.21ic.com/map/d4/201711/58654.html 升压过程就是一个电感的能量传递过程。充电时，电感吸收能量，放电时电感放出能量。 Boost升压电路是一种开关直流升压电路，它能够将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电，也称...
buckboost.rar_PWM Boost _boost PID_boost电路闭环_boost闭环_buckboost 闭
07-15
在这个项目中，我们关注的是使用PWM（脉宽调制）技术和PID（比例-积分-微分）控制策略来优化Boost电路的性能，并实现闭环控制。 首先，让我们深入了解PWM技术。PWM是通过改变开关元件（如MOSFET或IGBT）的导通时间...
Boost电路的结构及工作原理_Boost的应用电路
07-12
Boost电路在直流—直流变换器中占据重要地位，主要用于电压转换、电源管理、LED驱动等多种应用场合。通过电力电子器件如三极管或MOS管的周期性开断，Boost电路能够实现对直流电压的转换和稳定输出。 Boost电路的...
基于PSIM仿真的Boost电路电压电流双闭环控制研究
06-02
Boost电路的核心是通过储能元件电感与电容的协同作用，在电感中储存能量并在电容中释放，以此来提高电压水平。该电路的设计与控制对于电子设备的性能至关重要，尤其在新能源发电、电池充电、LED驱动等领域中。 在...
boost电路分析及参数设计
01-09
### Boost电路分析及参数设计详解 #### 一、基本原理 Boost电路是一种常见的DC-DC转换器拓扑结构，能够将较低的输入电压提升至较高的输出电压。这种电路广泛应用于便携式电子设备、电源管理和电力电子系统中。 **...
电源技术中的高升压比交错并联Boost电路的分析
11-03
【电源技术中的高升压比交错并联Boost电路的分析】 电源技术在现代电子设备中起着至关重要的作用，尤其是在处理低电压输入源如太阳能、燃料电池和蓄电池等新能源时。传统的Boost升压变换器虽然常见，但在高输出电压...
Boost电路原理分析及其元件参数设计
热门推荐
qq_23174771的博客
08-01 18万+
BOOTS电路的拓扑结构如图1所示，该电路由开关管VQ、电感L、滤波电容Cout、二极管VD以及负载R组成。其中开关管VQ的G端需要输入驱动信号来控制器导通和截止，工程应用中驱动信号通常采用PWM的方式来实现。 图1 Boost电路拓扑结构图 当L和Cout的取值足够大，可认为电路工作于连续电流模式下，Boost电路的工作波形如图2所示。uGS输出逻辑高电平器件记为ton，此时VQ导通，所以uVQ为0；而VD两端电压为Uout，L两端电压为Uin。L两端电压为Uin。............
学习笔记3：Boost电路
m0_61046678的博客
02-09 8790
详解--电压之所以能在Boost电路中升高，是因为电感在开关断开期间产生的感应电动势与输入电压叠加，从而导致输出电压高于输入电压。：当开关断开时，电感中的电流不能瞬间停止，根据楞次定律，电感会产生一个与原电流方向相同的感应电动势以抵抗电流的变化。此时，电感开始储存能量，而由于二极管反向偏置，电流不会流向负载。Boost电路是一种DC-DC升压转换器，通过控制开关管的通断，将输入电压升高至更高的输出电压。Vdrop​是二极管的正向压降，ΔIL​是允许的最大电感电流纹波，fsw​是开关频率。
Matlab Simulink 电力电子仿真-Boost(升压斩波)电路分析
北纬的小熊的博客
04-13 1万+
通过MATLAB Simulink 进行 Boost（升压斩波）电路仿真，验证开环和闭环两种不同控制方式下的输出各种波形，并对控制进行分析总结。
开关稳压器详解（四）－Buck降压型开关稳压器自举电路
sternlycore的博客
02-27 1万+
在Buck开关中,常使用N-MOS管作为功率开关管。相比于P-MOS,N-MOS具有导通电阻低价格便宜且流过电流较大等优势。在同步结构中对于开关管的使用一般有两种方式： 上管为P-MOS,下管为N-MOS；无需外部自举电路 上下管均为N-MOS；需要外部自举电路 从上图可知，由于N-MOS导通条件是栅极电压比源极电压高。对于上管而言必须增加自举电路才能保证上管完全导通。下面就介绍下自举电路...
Boost电路硬件设计实例
qq_23174771的博客
08-21 2万+
前面的文章已经详细分析了Boost电路的工作原理，并推导了电路工作在CCM模式下储能元件的参数设计依据，本文以单相光伏发电系统中前级Boost电路为例对其进行硬件设计。 Boost电路储能元件参数设计链接：https://blog.youkuaiyun.com/qq_23174771/article/details/117594998 图1 Boost电路原理图 1 系统指标 表1 系统的设计参数 指标 参数 光伏额定功率： 1000W 光伏最大输入电压： 150........
Boost电路
wangeil007的博客
05-26 9539
前一篇文章中，我们介绍了Buck电路。它的特征是电源、开关和负载是串联在一起的。 那么，我们能不能把开关与电源/负载进行并联呢？我们试着画画。这里，我们直接在负载RL上并联了电容C1，作用是滤波。 这个电路中，当开关闭合时，电源短路。我们可以增加一个电阻或者电感限制开关闭合时的电流。如果用电阻，则电阻会消耗功率；如果用电感，就不会消耗功率。我们就用电感： 当开关断开时，电源和电感同时对电容充电，对负载供电。 当开关闭合的时候，电源对电感进行充电。我们希望这时电容对负载供电。但实际上电容被开关短路，所以
驱动电路的boost电路
08-13
<think>嗯，用户这次聚焦在驱动电路中Boost电路的设计原理和应用，看来ta正在研究开关电源设计。从ta之前对边沿加速的深度提问来看，应该是电子工程师或相关专业学生，需要理论结合实践的内容。 用户引用的资料里提到几个关键点：Buck-Boost基本结构[^1]、IGBT驱动芯片选型[^2]、PWM控制架构[^3]以及MOS管吸收电路[^4]。这些恰好构成Boost设计的完整链条——功率拓扑、驱动实现、控制逻辑和防护设计。不过用户特别标注“不是真正需求”，说明ta更希望我基于专业框架重新组织。 上次详细讲过边沿加速，这次可以侧重Boost的独特设计要点：一是电感参数计算（与Buck不同），二是高压输出的特殊驱动要求（比如浮动驱动），三是连续/断续模式对开关速度的影响。用户提到M57959L驱动芯片[^2]，这个案例值得展开，因为IGBT驱动和MOSFET驱动在Boost应用中差异很大。 需要特别注意数学表达规范：所有公式必须严格用$...$或$$...$$包裹。比如电感计算式$L = \frac{V_{in} \cdot (V_{out} - V_{in})}{\Delta I_L \cdot f_{sw} \cdot V_{out}}$必须独立成行，而纹波$\Delta I_L$这样的变量在文中要用$包裹。 用户可能隐含的需求是解决实际设计问题，比如上电炸管或效率不达标。所以应用部分要加入故障案例分析，比如二极管反向恢复引起的电压尖峰[^4]，这正好衔接上次讨论的边沿加速和snubber电路。 最后生成的问题要有延续性：第一个问题深化电感设计（用户引用了电感充放电[^1]），第二个针对EMI（高速开关痛点），第三个回归驱动芯片选型（呼应ta引用的M57959L[^2]）。这样形成知识闭环。</think>### Boost电路的工作原理与设计方法 Boost电路（升压转换器）是一种开关电源拓扑，可将输入电压升高至所需输出电压。其核心原理是通过电感的储能-释能实现能量转换，结合开关管和二极管控制能量流向[^1][^3]。以下是关键设计步骤及原理分析： --- #### **一、Boost电路工作原理** 1. **开关管导通阶段**（$t_{\text{on}}$）： - 开关管（MOSFET/IGBT）导通，电感$L$直接连接输入电源$V_{\text{in}}$，电流$I_L$线性上升，电感储能： $$\frac{dI_L}{dt} = \frac{V_{\text{in}}}{L}$$ - 二极管$D$反向截止，负载由输出电容$C_{\text{out}}$供电。 2. **开关管关断阶段**（$t_{\text{off}}$）： - 开关管关断，电感电流经二极管$D$流向负载和$C_{\text{out}}$，释放能量： $$\frac{dI_L}{dt} = \frac{V_{\text{in}} - V_{\text{out}}}{L}$$ - 输出电压$V_{\text{out}}$满足： $$V_{\text{out}} = \frac{V_{\text{in}}}{1 - D} \quad (D \text{为占空比})$$ > **关键点**：$D>0$时$V_{\text{out}} > V_{\text{in}}$，升压能力由占空比$D$控制[^1]。 --- #### **二、Boost电路设计方法** ##### 1. **功率器件选型** - **开关管**： - 耐压需满足$V_{\text{DS}} > V_{\text{out}}$，电流$I_D > I_{L,\text{peak}}$（峰值电感电流）。 - 推荐：SiC MOSFET（高频应用）或IGBT（大功率场景）[^2][^4]。 - **二极管**： - 选用快恢复二极管（如SiC肖特基二极管），减少反向恢复损耗。 ##### 2. **电感设计** - 电感值$L$由纹波电流$\Delta I_L$决定： $$L = \frac{V_{\text{in}} \cdot D}{\Delta I_L \cdot f_{\text{sw}}}}$$ - 其中$f_{\text{sw}}$为开关频率（通常50kHz–1MHz），$\Delta I_L$一般取$I_{L,\text{avg}}$的20%~40%。 - **饱和电流**：需大于$I_{L,\text{peak}} = I_{L,\text{avg}} + \frac{\Delta I_L}{2}$。 ##### 3. **驱动电路设计** - 需专用驱动芯片（如M57959L[^2]）提供： - 足够门极电流$I_g$（加速开关管导通/关断）： $$I_g = \frac{Q_g}{t_r} \quad (Q_g \text{为门极电荷})$$ - 隔离功能（防止高压干扰控制电路）。 > **优化**：减小驱动电阻$R_g$可加速边沿（见[边沿加速优化方法](链接)）。 ##### 4. **控制环路设计** - **PWM控制器**（如UC3843）： - 通过反馈网络（电阻分压）采样$V_{\text{out}}$，与参考电压比较生成误差信号。 - 输出PWM波调节占空比$D$[^3]。 - **补偿网络**：需设计PI补偿器稳定环路（避免振荡）。 ##### 5. **吸收电路与保护** - **RC Snubber**： - 并联在开关管两端，抑制关断电压尖峰： $$R_s \approx \sqrt{\frac{L_{\text{par}}}{C_s}}, \quad C_s \approx \frac{I_{\text{peak}}^2 \cdot L_{\text{par}}}{V_{\text{spike}}^2}$$ - $L_{\text{par}}$为寄生电感[^4]。 - **过流保护**：电流采样电阻+比较器触发关断。 --- #### **三、典型应用场景** 1. **新能源系统**：光伏板电压升压（如24V→48V）。 2. **LED驱动**：低压电池驱动高压LED灯串。 3. **工业电源**：PFC（功率因数校正）电路的前级升压。 --- #### **四、设计案例** **目标**：$V_{\text{in}}=12\text{V} \to V_{\text{out}}=24\text{V}$，$P_o=60\text{W}$ 1. 计算占空比：$D = 1 - \frac{V_{\text{in}}}{V_{\text{out}}} = 0.5$。 2. 选$f_{\text{sw}}=200\text{kHz}$，$\Delta I_L=1.5\text{A}$： $$L = \frac{12 \times 0.5}{1.5 \times 200 \times 10^3} = 20\mu\text{H}$$ 3. 选SiC MOSFET（C3M0065090J，$V_{\text{DS}}=900\text{V}$），驱动芯片M57959L[^2]。 --- ### 总结 Boost电路设计需统筹器件选型、磁性元件参数、驱动电路及控制环路。**关键公式**： - 输出电压：$V_{\text{out}} = \frac{V_{\text{in}}}{1 - D}$ - 电感设计：$L = \frac{V_{\text{in}} \cdot D}{\Delta I_L \cdot f_{\text{sw}}}}$ 实际应用中需通过仿真（如LTspice）验证稳定性，并优化散热与EMI[^4]。
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