STM32读写内部FLASH

一、STM32内部FLASH简介

STM32微控制器内部集成了一定容量的FLASH存储器，它主要用于存储程序代码，但也可以用于存储一些非易失性的数据，例如配置信息、校准数据等。内部FLASH具有掉电不丢失数据的特性，因此在一些需要保存重要信息的应用场景中非常有用。STM32的内部FLASH通常被划分为多个扇区，不同的芯片型号其扇区的大小和数量会有所不同。一般来说，它的存储容量从几十KB到数MB不等，用户可以根据需要选择合适的STM32芯片。

二、读写内部FLASH的基本原理

1. 读操作：
   读内部FLASH相对简单，因为它的操作类似于读取其他的存储区域。只要知道要读取数据的地址，就可以直接通过指针操作读取该地址处的数据。例如，使用uint32_t *p = (uint32_t *)0x08000000;将指针指向FLASH的起始地址，然后通过*p就能读取该地址处的数据。这是因为STM32的内部FLASH地址空间映射在处理器的地址空间中，处理器可以直接访问。

2. 写操作：
   写操作相对复杂，因为FLASH存储器有一定的特性需要遵循。首先，不能直接对内部FLASH进行字节写入，而是要进行页或扇区的擦除操作，然后再进行写入。这是因为FLASH的存储单元是通过电荷存储来表示数据，擦除操作会将整个扇区或页的存储单元复位到一个已知状态（通常为全1），之后才能将新的数据写入。在进行写操作之前，需要确保要操作的区域已经被解锁，并且操作完成后要重新锁定，以防止误操作。此外，由于擦除和写入操作会对FLASH的寿命产生影响，所以在设计应用时，要尽量减少擦除和写入的次数。

三、STM32内部FLASH操作的代码实现

以下是一个使用STM32标准库进行内部FLASH读写操作的示例代码（假设使用的是STM32F1系列）：

#include "stm32f10x.h"

// 解锁FLASH
void FLASH_Unlock(void)
{
   
    if (FLASH->CR & FLASH_CR_LOCK)
    {
   
        FLASH->KEYR = 0x45670123;
        FLASH->KEYR = 0xCDEF89AB;
    }
}

// 锁定FLASH
void FLASH_Lock(void)
{
   
    FLASH