SSD的相关特性

 B Advanced Commands in Modern NAND flash Memories

除了基本命令（读、写和擦）之外，

NAND闪存支持一组高级命令。

这些高级命令是复制的，多平面的，

多模交错，是基本命令的扩展

一些使用限制

Multi-plane.

这个命令支持多个读、程序

在多个plane上，相同的die在一个完全相同的情况下

并行的方式。在现代的闪存芯片中，一个多平面

命令通常以两架plane为目标，或者以其一般的形式，

2 n的plane。多平面命令所针对的页面

必须有相同的芯片、die、plane和页面地址，也就是说，

对于不同的页面，只有块数可以是不同的。

多平面命令可以显著地提高flash

通过在内部提供高度的并行性

一个30-32的芯片，只有一个基本操作的成本

Multi-die Interleave

这个命令执行几个页面

读，页写，块擦除，还有另外两种类型

不同的高级命令（回退和多平面）

在同一块芯片上同时死亡。因为die是独立的,

对interleave命令没有限制。

copy-back。

这个命令将页面的数据移动到另一个页面

在同一平面内，不占据内部和

芯片的外部输入/输出总线。尽管在早期的产品中

复制支持28，29，假设地址是

源页和目标页面必须是奇数或

两者都是，在当前的产品中，这一限制已经放宽，

在我们的设计中没有考虑到。