串行SRAM

最新推荐文章于 2025-10-22 14:19:38 发布
原创 最新推荐文章于 2025-10-22 14:19:38 发布 · 672 阅读 · 1 ·
CC 4.0 BY-SA版权
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。

铁电RAM与串行SRAM替换时需要考虑的因素
NETSOL的博客
10-16 461
尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途，但是随着SPI等标准接口的出现，这些技术在功能上有很大的重叠。本篇详细介绍了用FRAM替换SRAM时需要考虑的因素 FRAM注意事项 FRAM与SRAM互相代替时，需要提及一些细微之处。本篇文章介绍这些细微差别，并重点介绍可以采取的缓解措施。当采取这些预防措施时，重要的是要了解所使用的FRAM版本。传统的FRAM部件仅实现单个位SPI接口，而ULE FRAM具有许多可以使用的不同操作模式。 注册访问 串行SRAM具有单个状态寄存器，如下表所示： 应该注意的是
写ram的c程序
11-19
为16*16led显示的c语言写sram程序，包括左移和上移显示。
SPI接口串行SRAM | AP Memory 6404
TSINGHUAJOKING
11-30 3446
测试 APS6404 的基本读写功能， 然后在测试它的容量以及读写速度。根据 APS6404的数据手册， 编写最基本的慢速SPI读写过程， 利用 普通的 IO口模拟 SPI序列， 这样便于移植。后面可以通过单片机 SPI 硬件， 便可以提高读取速度，  也可以通过 四路 IO 同时访问的形式， 来提高读写的速度。它的封装似乎具有通用性，  也就是和 2020年， 我测试的另外一款SPI接口的RAM 相同， 型号为 24LC1024。测试了基本读写功能， 为之后的应用提供了经验。下面对它进行初步测试。
分享一款国产串行SRAM存储芯片EMI7008LSMI
EVERSPIN的博客
03-11 1331
EMI7008LSMI该器件是8Mb串行访问的SRAM存储芯片，内部组织为1024K字，每个8位。该器件采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。该器件使用单芯片选择（/CS）输入进行操作，并通过与SPI兼容的简单串行接口进行访问。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问该设备内的数据。该设备包括一个/HOLD引脚，该引脚允许在不取消选择该设备的情况下暂停与该设备的通信。暂停时，除/CS引脚外的输入跳变将被忽略。该器件可在-40°C至+85°C（工业级）的温度范围内工作。 特征： •
VTI串行接口高速sram芯片型号
最新发布
EVERSPIN的博客
10-22 388
本文介绍了串行SRAM芯片的特点及应用。该类存储器采用8引脚封装，具有低功耗、高性能、无限次读写等优势，兼容多种总线模式，适用于音视频处理、网络缓存等场景。重点分析了其核心优势：高速接口、多协议支持、紧凑结构、低成本扩展和低功耗特性。文章列举了VTI品牌的16款具体型号，并提供了工业级工作温度范围。最后介绍了供应商英尚微电子的业务范围，包括温度传感器IC等产品。
分享一款国产512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1
EVERSPIN的博客
04-27 535
EMI Serial SRAM是为串行接口的SRAM，外扩SRAM可以通过使用SPI的接口来将外部RAM添加到几乎所有应用中。串行访问的静态随机存取存储器采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。
Microchip微芯256Kbit串行SPI SRAM芯片23K256
EVERSPIN的博客
05-30 1064
串行SRAM是一种独立的易失性存储器，它提供了一种简单且便宜的方式来为您的应用程序添加更多RAM。这些8引脚低功耗、高性能SRAM器件具有无限的耐用性和零写入时间，使其成为涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、音频、视频、互联网、图形和其他数学和数据密集型应用的理想选择职能。并支持SPI、SDI和SQI™总线模式。 Microchip型号23K25是一个32,768字节的串行SPI SRAM，与许多流行的微控制器系列的串行外设接口 (SPI) 端口连接，可以通过使用在固件中正确编程以匹配 SPI 协议的离散 I
推荐一款1Mb国产串口SRAM芯片EMI7001WTMI
EVERSPIN的博客
08-31 844
伟凌创芯国产芯片EMI7001WTMI是一款容量为1Mb的串口SRAM，采用先进的CMOS技术设计和制造，提供高速性能和低功耗。其内部组织为128K字，每个字8位。该器件采用单片选(/CS)输入运行，并通过与SPI兼容的简单串行接口进行访问。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问该设备内的数据。该设备包括一个/HOLD引脚，允许在不取消选择设备的情况下暂停与设备的通信。暂停时，除/CS引脚外的输入转换将被忽略。该器件可在-40℃至+85℃（工业级）的温度范围内运行。 EMI7001WTMI具有SPI总
MICROCHIP_存储器产品-串行EEPROM • 串行SRAM • NOR闪存-综合文档
05-23
Microchip公司是一家领先的存储器产品供应商，产品类型包括串行EEPROM、串行SRAM和NOR闪存，同时还有并行闪存。该公司自成立以来，凭借其25多年的非易失性存储器（NVM）经验，已经为各个行业提供了大量的存储解决...
精选资源
ESP8266_Spiram:Microchip Technology Inc.的用于串行SRam 23A102423LC1024的SPI库
05-13
的SPI串行SRam 23A1024 / 23LC1024库 该库通过SPI连接为ESP8266提供了1Mbit SRAM芯片的接口。 Microchip 23A1024 / 23LC1024- 编写的应用程序 获取代码 您可以为托管的代码为ESP8266安装SRam库。 在GitHub存储库中...
串行SRAM-X24C45芯片在针板自动冲床系统中的应用 (2001年)
06-12
串行SRAM-X24C45芯片在针板自动冲床系统中的应用涉及到微控制器与存储器之间的硬件接口设计，以及系统在异常情况下数据恢复的可靠性提升。本文将详细介绍SRAM的工作原理、硬件连接以及具体在自动冲床系统中的应用...
串行sram的读写时序
03-18
嗯，用户想了解串行SRAM的读写时序。首先，我需要回忆一下串行SRAM的基本概念，它与并行SRAM的区别主要在于接口类型。串行SRAM通常使用SPI或I2C这样的串行接口，而并行则是通过地址和数据总线来传输。这点要先说明...
VTI7064MSME_SPI的RAM芯片手册.PDF
05-23
vti7064,SPI接口的的RAM存储器芯片文档，适合需要暂存大量数据的，脚位要求少的应用
SPI SRAM串行静态随机存储器
EVERSPIN的博客
11-27 423
SPI SRAM存储器通过四线制的SPI接口与主控制器连接，包括片选（CS）、时钟（SCK）、数据输入（MOSI）和数据输出（MISO）信号线，使得数据交换变得简单高效。SPI SRAM以其出色的性能、简单的接口和灵活的配置，成为嵌入式系统中不可或缺的组件。此外，由于其静态功耗极低，即使在不进行数据传输时，它也几乎不消耗电力，这对于电池供电的便携式设备来说尤为重要。封装形式方面，RAMSUN的SPI SRAM有多种选择，包括QFN、SOIC等，这些封装形式不仅小巧，而且能够适应不同的PCB布局和空间限制。
串行SRAM的主要优点
EVERSPIN的博客
07-20 402
串行SRAM器件是独立的易失性存储器解决方案，可以帮助创建更紧凑的设计，同时为当前的MCU添加功能。高性能SRAM器件具有无限的耐用性和零写入时间，非常适合涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、音频、视频和其他数学和数据密集型功能的应用。...
串行SRAM和FRAM之间的相似之处
NETSOL的博客
10-16 658
尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途，但是随着SPI等标准接口的出现，这些技术在功能上有很大的重叠。本篇文章宇芯电子详细介绍了SRAM和FRAM的共同属性，这为设计中替换串行SRAM提供了主要动力。 SRAM和FRAM之间的相似之处 SRAM和FRAM在许多设计中表现出许多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存储密度，可以支持完全随机的读写访问，并且可以获得所有结果而没有额外的延迟。鉴于这两部分都具有使用SPI接口的实现，很明显，可以认为这些部分可以在大多数设计中互换使用。以下各节描述了这
VTI7064 64Mbit串行SRAM中文资料
EVERSPIN的博客
03-09 2121
VTI7064 64Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外围接口/四重外围接口）SRAM器件。该RAM可配置为1位输入和输出分离或4位I/O通用接口。设备本身会执行所有必要的刷新操作。 VTI7064特征 -SPI总线接口： 兼容SPI 兼容SQI 所有模式的时钟频率均为20MHz 低功耗CMOS技术： 读取电流：25mA 待机电流：典型值150uA -无限的读写周期 -8Mx8位组织和1KB页面大小 -高可靠性 -符合RoHS -8引脚SOIC封装 -支持的温
分享国产SRAM厂家伟凌创芯512Kbit串行SRAM芯片EMI7512NTMI
EVERSPIN的博客
04-28 947
国产SRAM厂家伟凌创芯EMI7512NTMI是一款串行静态随机存取存储器设备，存储器大小为512Kbit。它在内部组织为64K字，每个字8位。该器件采用最先进的CMOS技术设计和制造，以提供高速性能和低功耗。 EMI7512NTMI采用单片选(CSN)输入运行，并通过简单的串行SPI兼容接口（SPI：串行外设接口）访问。单个数据输入和数据输出线与时钟一起用于访问设备内的数据。该器件包括一个HOLDN引脚，允许在不取消选择器件的情况下暂停与器件的通信。暂停时，除CSN引脚外的输入转换将被忽略。该器件可在-4
串口和并口的区别_串口SRAM和并口SRAM的区别
weixin_39672296的博客
01-27 1146
首先来看一下并口和串口的区别：引脚的区别：串口SRAM（或其它存储器）通常有如下的示意图：串口SRAM引脚引脚只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8个，一般遵循SPI协议，并口SRAM引脚很多，串口SRAM引脚很少。大部分SRAM是并口（parallel）操作的，也有少部分奇葩是串口协议的。并口的SRAM通常有如下的示意图：并口SRAM引脚引脚密密麻麻接近50个，包含地...
评论
成就一亿技术人!
拼手气红包6.0元
还能输入1000个字符
 
红包 添加红包
表情包 插入表情
表情包 代码片
 条评论被折叠 查看
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值