NOR Flash与NAND Flash区别

最新推荐文章于 2023-04-29 00:10:54 发布

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本文探讨了NOR和NAND存储器的工作原理，包括块、扇区、页的概念，以及它们在随机存储与连续存储场景下的性能对比。重点介绍了随机存储下对单个字操作的优势与连续存储下快速存取大量数据的特点。同时，阐述了两种存储器在地址寻址、驱动需求及坏块管理等方面的差异。

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参照网络，整理了一下

NOR	NAND
块--》扇区	块---》页（512B）
随机存储	连续存储
可以对单个字操作	只能对固定大小区域清零
存大量数据较慢但存单个字节较快	存储大量数据较快但单个字节较慢
读写时需指定块号和块内偏移
地址线和数据线分开的，所以读写较快	地址线和数据线公用，存储时先放缓冲区，然后存储，大量数据时较快
插入时无需驱动就可找到，但读写是需要驱动	全部需要驱动，驱动较难
	坏块随机分布，始终用映射的方式写入数据