【笔记】微机原理及接口技术2 -- 存储器与IO接口技术

本文详细介绍了存储器的分类、性能指标,重点讨论了半导体存储器如RAM(随机存取存储器)和DRAM(动态随机存储器)的工作原理,以及地址锁存器和三态缓冲器的作用。同时,文章涵盖了只读存储器的不同类型,如ROM、PROM、EPROM和EEPROM。此外,还阐述了存储器与CPU的连接方式,如片选技术,并探讨了内存寻址方法。在I/O接口技术方面,提到了IO端口编址、输入输出控制方式,包括程序控制、中断控制、DMA和I/O处理机控制方式,以及并行和串行通信的概念。

存储器


存储器分类

按照材料分类:半导体存储器、磁性存储器、光盘存储器

只读存储器(readonlymemory, ROM):存储的内容固定不变,即只能读出不能写入
随机存取存储器(randomaccessmemory, RAM):既能读出又能写入的存储器称为随机存取存储器

按作用分类

  • 主存储器:在主机内部,用来存放当前正在运行的程序和数据
  • 辅助存储器:计算机外部设备
  • 高速缓冲存储器 cache:很贵、高速、容量小

存储器常用性能指标
  1. 吞吐量(throughput):单位时间内处理的数据量,常用 MB/s 或 IOPS(每秒 IO 操作数)表示。
  2. 带宽(bandwidth):存储器能支持的最大数据传输速率,使用 bps(比特/秒)计量。
  3. 延迟(latency):数据访问的时间间隔,主要指读取或写入的数据要花多长时间。单位通常为毫秒(ms)。低延迟意味着性能更高。
  4. I/O Operations Per Second(IOPS):单位时间内执行的输入/输出(读/写)操作次数。
  5. 随机读写比例(random read/write ratio):存储器是否支持随机读写,随机读写性能如何。
  6. 可用容量(available capacity):存储器中实际可用的容量,需考虑格式化后、RAID 的副本数据等因素。
  7. 容量扩展性(scalability):存储器能够扩充到多大的容量。
  8. 磁盘存活时间(MTBF):平均故障间隔时间,衡量存储器的可靠性。

半导体存储器

在这里插入图片描述

上图展示半导体存储器的体系结构

地址译码器:接收 CPU 发出的地址信号,然后产生地址译码信号,以便选中存储矩阵中的某个存储单元

存储矩阵:能够存储二进制信息的基本存储单元的集合

数据输入/输出控制电路:多为三态双向缓冲器结构,以便使系统中各存储器芯片的数据输入/输出端能方便地挂接到系统数据总线上


随机存取存储器 RAM

在这里插入图片描述

较大容量的存储器中,往往把各个字的同一位组织在一个片中;同一位的这些字通常排成矩阵的形式,如 32× 32=1024 或 64×64=4096。然后,由 X 选择线(行线)和 Y 选择线(列线)的重叠来选择所需要的单元

存储容量较小,也可以把 RAM 芯片的单元阵列直接排成所需要位数的形式

存储器的内部数据通过 I/O 电路以及输入和输出的三态门与数据总线相连

RAM 与 CPU 的连接,主要有以下三个部分

  1. 地址线连接
  2. 数据线链接
  3. 控制线链接

动态随机存储器 DRAM

行地址选通信号(Row Address Strobe,RAS)和列地址选通信号(Column Address Strobe,CAS) 对应的作用:

  • RAS 信号控制行地址的写入,用来选择 DRAM 中的行。
  • CAS 信号控制列地址的写入,用来选择 DRAM 中的列。
  • 在行地址写入期间,列地址保持不变;在列地址写入期间,行地址保持不变。
  • RAS 和 CAS 信号的时序关系严格,确定了 DRAM 的速度和性能。
  • 一般情况下,必须先拉低 RAS 信号再拉低 CAS 信号。

据此,可以分析得到 DRAM 操作分为以下几个步骤:

  1. 向行地址线输入一行地址,拉低 RAS 信号进入行地址写入模式。
  2. 等待指定时序后,向列地址线输入一列地址,拉低 CAS 信号进入列地址写入模式。
  3. 等待指定时序后,根据读/写控制信号决定进行读操作还是写操作。
  4. 操作完成后,将 RAS 和 CAS 信号置高,退出当前操作模式。
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