vue 修饰符

本文深入解析Vue.js中表单与事件修饰符的使用技巧,包括.lazy、.trim、.stop与.prevent等,帮助开发者掌握更高效、精确的代码控制方法。

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前言

为了方便大家写代码,vue.js给大家提供了很多方便的修饰符,比如我们经常用到的取消冒泡,阻止默认事件等等~

一.表单修饰符

1.    .lazy

填写表单,最常用的是什么?input!v-model~而我们的修饰符正是为了简化这些东西而存在的

<div>
   <input type="text" v-model="value">
   <p>{{value}}</p>
</div>

从这里我们可以看到,我们还在输入的时候,光标还在的时候,下面的值就已经出来了,可以说是非常地实时。

但是有时候我们希望,在我们输入完所有东西,光标离开才更新视图。

<div>
   <input type="text" v-model.lazy="value">
   <p>{{value}}</p>
</div>

这样即可~这样只有当我们光标离开输入框的时候,它才会更新视图,相当于在onchange事件触发更新。

 

2.    .trim

在我们的输入框中,我们经常需要过滤一下一些输入完密码或者其他不小心多敲了一下空格的输入的内容。

<input type="text" v-model.trim="value">

需要注意的是,它只能过滤首尾的空格!首尾,中间的是不会过滤的

 

二. 事件修饰符

1.stop

由于事件冒泡的机制,我们给元素绑定点击事件的时候,也会触发父级的点击事件。

<div @click="shout(2)">
  <button @click="shout(1)">ok</button>
</div>

//js
shout(e){
  console.log(e)
}
//1
//2

一键阻止事件冒泡,简直方便得不行。相当于调用了event.stopPropagation()方法。

<div @click="shout(2)">
  <button @click.stop="shout(1)">ok</button>
</div>
//只输出1

2.prevent

用于阻止事件的默认行为,例如,当点击提交按钮时阻止对表单的提交。相当于调用了event.preventDefault()方法。

<!-- 提交事件不再重载页面 -->
<form v-on:submit.prevent="onSubmit"></form>

注意:修饰符可以同时使用多个,但是可能会因为顺序而有所不同。

用 v-on:click.prevent.self 会阻止所有的点击,而 v-on:click.self.prevent 只会阻止对元素自身的点击。

也就是从左往右判断~

 

三.v-bind修饰符

1.sync(2.3.0新增)

在有些情况下,我们可能需要对一个 prop 进行“双向绑定”。不幸的是,真正的双向绑定会带来维护上的问题,因为子组件可以修改父组件,且在父组件和子组件都没有明显的改动来源。我们通常的做法是

//父组件
<comp :myMessage.sync="bar"></comp>
//子组件
this.$emit('update:myMessage',params);

 

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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