本文详细解析了SRAM的读写时序，包括写入和读取数据的具体操作流程。强调了在clock上升沿进行数据写入和读取的重要性，并提醒在下降沿准备数据和地址。特别指出读取数据的稳定性和时序延迟问题。
如下图：读写都使用clock时钟，写使能wren、读使能rden。写入数据寄存器data。读出数据寄存器q。
本质就是不同地址，对应不同数据，可进行读写
1、写时序，wren为1 ，rden为0.会在clock上升沿写入数据，所以请在下降沿准备好数据，地址值，上升沿即可正确写入。
2、读时序，wren为0 ，rden为1。会在clock上升沿读出数据，所以请在下降沿准备好要读的地址，上升沿即可正确读出数据。但是获取数据要在上升沿以后，这样保证数据稳定性。
注意此处有一个天坑，上升沿不会立刻出数，下一个上升沿才出来。可以理解为第一个上升沿打入地址，第二个上升沿把数打出来
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