如何实现从SD卡更新NK

如何实现从SD卡更新NK?——(已经实现) 

作者:wogoyixikexie@gliet    2008-12-04

          在前段时间,songtitan牛人在论坛说了一下使用SD卡更新NK的方法。如下:

http://topic.youkuaiyun.com/u/20081009/17/4E0F5E66-C7A0-43D2-B33F-14E132280F70.html

 

在CE下和在bootloader下都可以实现更新NK.
1 在CE下
可以直接用文件系统API读出NK.bin,放到内存buffer中 ,再通过DEVICEIOCTL的方式来调用nand驱动的接一些接口来直接对nand flash进行写操作。
好处:跳过boot section,FAT/FAT32文件系统的解析;对内存大小无要求
缺点:NAND驱动需要暴露读写的IOCTL,必须进入OS才能更新OS,如果OS挂了的话,无法更新。

2 bootloader下
直接对SD CONTROLLER操作来对SD卡进行读写,解析FAT/FAT32格式(fatfs_open()
),找到NK.BIN,并将其读取到内存(该内存在硬件上一般是ddr fatfs_open(0, "xip.nb0", O_RDONLY, &downFile);其中downfile 是内存中开辟的一块空间 )中,然后可以将其从ddr中取出烧写到nand flash中。
好处:只要bootloader不挂,就可以对OS进行更新;
缺点:需要自己解析BOOT SECION,FAT/FAT32文件系统;需要至少和NK.BIN大小相同的剩余RAM

 

如果BSP本身没有支持bootloader下的SD更新nk,自己研究还是需要不少工作量的,最好的捷径就是能“弄到”别的平台的SD更新代码,改动就只是SD HOST controller部分。
=================现在我的工作就是详细弄出怎么实现这个东西==========================

公司要求在bootloader阶段实现SD更新NK ,并且说要实现用触摸屏操作 ,我觉得这个在裸奔 阶段实现触摸屏菜单太难了,简直是不可能的事情。如果非要实现的话就一定要加上GUI,那bootloader搞的这么大,就没有什么意义了。我现在觉得 有一种方法可行:就是放弃使用SD卡更新NK的办法,而是在flash里面备份一个NK,更新的时候就把备份NK放到启动的NK上。这样实现起来 bootloader修改简单,在wince起来之后实现也不困难。现在的flash都已经1G以上了,那点容量牺牲不成问题,并且SD卡也腾出了空间 ——哈哈,好,就模仿ghost做一个嵌入式还原精灵吧。

====================================================================================

——经过几天的思索,我觉得在flash上做备份有点不妥当,因为flash有时候不稳定,很容易出问题。现在还是决定采用系统起来后更新NK的方法。很荣幸在这里找了个很好的老帖子——--------------------------------------wince下将flash中的内容全部读出来

http://topic.youkuaiyun.com/u/20080530/10/8A86B2C8-1623-4AB9-ACA7-D5DE24994CF6.html 内容经典,摘抄下来。

--------------------------------------------------------------------------

硬件:2410 ,64M nandflash,64M RAM

我现在在想在wince下将nandflash中的内容从地址0开始,到nandflash结束,全部读出来,
该怎么做!

就好像是给台式电脑做GHOST备份一样,不同的是NANDFLASH为空的地方我们也要读取!

紧急,谢谢

--------------------------------------

要看你的文件系统是否支持.因为文件系统只能识别被分区的地方,那没有分区的空白区域是无法通过WINCE API访问到的.一般flash都有专用的读写器直接复制芯片内容的,也就是生产时用来做母片 的工具。

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恐怕只能自己写一个简单的flash driver,从头到尾读一遍了。wince的fat文件系统肯定是不能保证按flash的物理地址顺序读的。

--------------------------------------

NAND上一层是DISK接口了,不会有相应的API供你读取所有内容的。

如果能修改驱动,那么就让驱动开放一个特殊的IOContrl Code给你,输入地址范围,输出是将地址范围内的数据全部放到指定的buf指针地址去。Nand flash的驱动,修改FMD_OEMIoControl函数

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是标准的流接口,其实还是用DSK驱动就 行,只是你自己设计一个原来没有的IOCONTROL_CODE,通过Device的IOControl()函数传下去时,在NAND FLASH的驱动中的IOControl直接判断,如果满足,就将指定范围的数据都读到指定的地址空间。

9楼的有个小错误,NAND驱动的读函数里已经做了ECC校验了,通过FMD_NAND_READ这样的函数读出来的数据是不需要再ECC校验的。

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引用 13 楼 so927 的回复:
引用 12 楼 jlctt 的回复:
修改FMD中FMD_OEMIoControl代码,开放FMD_ReadSector/FMD_WriteSector接口访问,然后用DeviceIoControl去访问整个NAND Flash.


明白您的意思了,我觉得也可以这样实现,谢谢提醒,

不过还有一个问题,我会不会把坏块也一起读出来了,每读一个块我是不是都需要检测一下是不是坏块呢



是的,需要的

=========================================抄贴结束======================================

 

——这几天,我首先在学习EVC读写SD卡程序,刚开始以为可以像PC一样malloc几十M的内存,结果试验发现当读400K写字板的时候已经那个非常慢,看来一次性读写30M的想法是行不通的。今天终于分段读写30M内核文件 成功,下面是关键代码。

C/C++ code
     
     
  1. //我把30M的文件读出来,再存放到一个文件,已经完全可行。该结贴了,是修改flash驱动的时候了。晚上回去结贴。
  2. //==================从文件中分段读出数据,每次30K ,读1024次,共30M====================
  3.     for  (unsigned int  count=0;count<READCOUNT;count++)
  4.     {
  5.         SetFilePointer(hFile, m_FilePointer, NULL, FILE_BEGIN);        /* 移动文件指针到文件开头 */     
  6.         if  (ret == 0xFFFFFFFF)
  7.         {
  8.             MessageBox(_T("将文件指针移至文件指定处失败!" ));
  9.             return ;    
  10.         }
  11.         pcharbuff=(char  *)malloc(READSIZE);                            //每次申请30K的内存
  12.         ret = ReadFile(hFile, pcharbuff, READSIZE, &actlen, NULL);    /* 从文件中分段读出数据,每次30K */
  13.         if  (ret == FALSE)    
  14.             MessageBox(_T("读文件失败!" ));    
  15.     
  16.     
  17.         //--------------------write read file to wogo.nb0-----------------------
  18.         //--读出30K,就写30K
  19.         SetFilePointer(hTestFile, m_FilePointer, NULL, FILE_BEGIN);        /* 移动文件指针到文件开头 */     
  20.         if  (ret == 0xFFFFFFFF)
  21.         {
  22.             MessageBox(_T("将文件指针移至文件指定处失败!" ));
  23.             return ;    
  24.         }
  25.         ret = WriteFile(hTestFile, pcharbuff, READSIZE, &writelen, NULL);    /* 将数据写入文件中 */
  26.         if  (ret == FALSE)    
  27.             MessageBox(_T("写文件失败!" ));
  28.         
  29.         free((void  *)pcharbuff);//释放内存
  30.     
  31.         
  32.         m_FilePointer=m_FilePointer+READSIZE;//每次文件指针下移30K
  33.         //if (count==1023)
  34.         //{
  35.         //    MessageBox(_T("读文件成功!"));
  36.         //}
  37.     }
——做这个除了了解了一下wince 虚拟内存申请以外,还得出:不管是二进制文件还是文本文件,
使用的读写函数都一样,要想把二进制的数据读出来显示,不能使用显示文本文件的方法。
=============================flash驱动修改部分==============================

http://blog.youkuaiyun.com/nanjianhui/archive/2008/03/19/2196466.aspx 微软MVP的文章
——应用程序直接控制flash

===========================采用wince运行下更新NK的方法成功===========================

——现在公布要点。

一、在FMD中增加下面代码

  1. //------------------------------------------------------------------------------
  2. //---------------------------应用程序和flash直接通信-------希望大家看了有启发---
  3. //------------------------------------------------------------------------------
  4. static  DWORD g_dwStartSector=2*64;

  5. BOOL  FMD_OEMIoControl(DWORD dwIoControlCode, PBYTE pInBuf, DWORD nInBufSize, PBYTE pOutBuf, DWORD nOutBufSize, PDWORD pBytesReturned)
  6. {
  7.     
  8.     switch (dwIoControlCode)
  9.     {
  10.         case  0x77777777:
  11.             for (unsigned int  i=2;i<=242;i++)//30M NK 占用240 block
  12.                 FMD_EraseBlock(i);  //擦除NK所占区域30M 
  13.             RETAILMSG(1, (TEXT("FMD_OEMIoControl: recognized IOCTL.FMD_EraseBlock (0x%x)./r/n" ), dwIoControlCode));
  14.              
  15.             break ;
  16.         case  0x12345678:
  17.              //写入NK所占区域——这个要看eboot中的函数才知道具体起始block
  18.              //RETAILMSG(1, (TEXT("FMD_OEMIoControl: recognized IOCTL.FMD_WriteSector(0x%x)./r/n"), dwIoControlCode));
  19.              
  20.              RETAILMSG(1, (TEXT("FMD_OEMIoControl: recognized IOCTL.FMD_WriteSector(0x%x)./r/n" ), nInBufSize));
  21.              RETAILMSG(1, (TEXT("FMD_OEMIoControl: nInBufSize=%d./r/n" ), nInBufSize));
  22.              //for(unsigned int k=0;k<nInBufSize;k++)
  23.              // {
  24.              //     FMD_WriteSector(g_dwStartSector,pInBuf,NULL,1);
  25.              //     g_dwStartSector=g_dwStartSector+1;
  26.              // }
  27. //FMD_WriteSector函数的参数很关键,pInBuf是应用程序传入,并且大小只能是一个page
  28. //FMD_WriteSector的代码推测出,pInBuf只能是一个page
  29.              FMD_WriteSector(g_dwStartSector,pInBuf,NULL,1);
  30.              if (g_dwStartSector<=242*64)
  31.                 g_dwStartSector=g_dwStartSector+1;
  32.              break ;
  33.             
  34.                                                         
  35.         default :
  36.             RETAILMSG(1, (TEXT("FMD_OEMIoControl: unrecognized IOCTL (0x%x)./r/n" ), dwIoControlCode));
  37.             return (FALSE);
  38.     }

  39.     return  TRUE; 
  40. }

转载请标明:作者wogoyixikexie@gliet .桂林电子科技大学一系科协。如有错误,希望能够留言指出;如果你有更加好的方法,也请在博客后面留言,我会感激你的批评和分享。

内容概要:本文详细介绍了如何利用Simulink进行自动代码生成,在STM32平台上实现带57次谐波抑制功能的霍尔场定向控制(FOC)。首先,文章讲解了所需的软件环境准备,包括MATLAB/Simulink及其硬件支持包的安装。接着,阐述了构建永磁同步电机(PMSM)霍尔FOC控制模型的具体步骤,涵盖电机模型、坐标变换模块(如Clark和Park变换)、PI调节器、SVPWM模块以及用于抑制特定谐波的陷波器的设计。随后,描述了硬件目标配置、代码生成过程中的注意事项,以及生成后的C代码结构。此外,还讨论了霍尔传感器的位置估算、谐波补偿器的实现细节、ADC配置技巧、PWM死区时间和换相逻辑的优化。最后,分享了一些实用的工程集成经验,并推荐了几篇有助于深入了解相关技术和优化控制效果的研究论文。 适合人群:从事电机控制系统开发的技术人员,尤其是那些希望掌握基于Simulink的自动代码生成技术,以提高开发效率和控制精度的专业人士。 使用场景及目标:适用于需要精确控制永磁同步电机的应用场合,特别是在面对高次谐波干扰导致的电流波形失真问题时。通过采用文中提供的解决方案,可以显著改善系统的稳定性和性能,降低噪声水平,提升用户体验。 其他说明:文中不仅提供了详细的理论解释和技术指导,还包括了许多实践经验教训,如霍尔传感器处理、谐波抑制策略的选择、代码生成配置等方面的实际案例。这对于初学者来说是非常宝贵的参考资料。
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