基于FGMOS晶体管的低功耗低电压电路设计与滤波应用
在电子电路设计领域,低功耗低电压电路的设计一直是研究的热点。FGMOS(多栅MOS)晶体管在这方面展现出了独特的优势,下面将详细介绍其在电路设计和滤波应用中的相关内容。
1. FGMOS晶体管电路中的关键公式推导
在FGMOS晶体管的低功耗低电压电路设计中,有几个关键的公式需要关注。首先是关于差分输出电压 (V_d) 的公式:
[V_d = \frac{(k’ 1α {11} - k’ 2α {12})(η_{11} - η_{12}) - (α_{11} - α_{12})(k’ 3η {11} - k’ 4η {12})}{α_{12}α_{11}(k’ 1 - k’_2)}V {icm}]
当假设 (V_{DD}) 的变化远小于其标称值时,(\frac{\Delta V_d}{\Delta V_{DD}}) 可以近似表示为:
[\frac{\Delta V_d}{\Delta V_{DD}} \approx \frac{(k’ 1 - k’_3)α {11}η_{11}(w’ {DD1} - w’‘ {DD2}) + (k’ 2 - k’_4)α {12}η_{12}(w’ {DD2} - w’‘ {DD1})}{nU_Tα_{11}α_{12}(k’ 1 - k’_2)}\frac{V {DD}}{V_{icm}} + \frac{(k’ 4 - k’_1)α {12}η
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