访存控制信号——MREQ(上方带有横杠)

博客介绍了访存控制信号MREQ,其直接连接到译码器的一个低电平选通端,属于信息技术中嵌入式电路相关内容。

访存控制信号MREQ,直接连接到译码器的其中一个低电平选通端

### 地址译码方案分析 #### 1. ROM区域 ROM区域地址空间为0000H~1FFFH,其容量为 \(2^{13} = 8K\) 字节。使用8K×8位的ROM芯片,刚好一片即可。 将地址线 \(A12 - A0\) 连接到ROM芯片的地址输入端,用于片内寻址。 因为ROM区域起始地址为0000H,高位地址 \(A15 - A13\) 全为0,所以可以用一个3 - 8译码器,当 \(A15A14A13 = 000\) 时,选中ROM芯片,即译码器的 \(Y_0\) 输出作为ROM芯片的片选信号 \(\overline{CS}\)。 #### 2. RAM区域 RAM区域从6000H开始,地址空间为16K×8位,使用8K×4位的SRAM芯片,需要4片进行字位扩展。 - 位扩展:每两片8K×4位的芯片组成8K×8位的存储模块,共需要两个这样的模块。 - 字扩展:两个8K×8位的模块组成16K×8位的RAM区域。 地址线 \(A12 - A0\) 连接到SRAM芯片的地址输入端,用于片内寻址。 对于高位地址 \(A15 - A13\),6000H转换为二进制为 \(0110 0000 0000 0000\),所以当 \(A15A14A13 = 011\) 时选中RAM区域。同样使用3 - 8译码器,译码器的 \(Y_3\) 输出作为RAM区域的片选信号。 再用 \(A14\) 作为两个8K×8位模块的选择信号,当 \(A14 = 0\) 时选中低8K模块,当 \(A14 = 1\) 时选中高8K模块。 ### 主存与CPU连接图绘制要点 #### 1. 地址线连接 - \(A12 - A0\) 同时连接到ROM芯片和SRAM芯片的地址输入端。 - \(A15 - A13\) 连接到3 - 8译码器的输入。 #### 2. 数据线连接 - 对于ROM芯片,8位数据线 \(D7 - D0\) 直接连接到CPU的数据总线。 - 对于SRAM芯片,每两片一组进行位扩展,一组的4位数据线连接到 \(D7 - D4\),另一组的4位数据线连接到 \(D3 - D0\)。 #### 3. 控制信号连接 - 读/写控制信号 \(R/W#\) 连接到SRAM芯片的 \(\overline{WE}\) 端,用于控制读写操作;ROM芯片不需要该信号。 - 访存允许信号 \(MREQ#\) 连接到3 - 8译码器的使能端,用于控制译码器工作。 ### 代码示例(伪代码表示连接逻辑) ```python # 地址线连接 for i in range(0, 13): connect(A[i], ROM_address[i]) connect(A[i], SRAM_address[i]) # 高位地址线连接到译码器 connect(A[13], decoder_input[0]) connect(A[14], decoder_input[1]) connect(A[15], decoder_input[2]) # 数据线连接 for i in range(0, 8): connect(D[i], ROM_data[i]) # SRAM位扩展数据线连接 for i in range(0, 4): connect(D[i + 4], SRAM_group1_data[i]) connect(D[i], SRAM_group2_data[i]) # 控制信号连接 connect(RW, SRAM_WE) connect(MREQ, decoder_enable) ``` ### 相关问题
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