iOS笔记--oc语法7 (深、浅复制的基本概念)

本文深入解析了深复制和浅复制的概念及其在Objective-C中的应用。介绍了实现<NSCopying>和<NSMutableCopying>协议的方法,并解释了retain、mutableCopy及copy的区别。

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申明:此为本人学习笔记,若有纰漏错误之处的可留言共同探讨


说深、浅复制之前,我们先谈谈复制;复制,就是开辟一块新的内存(堆)来存储复制出来的对象。
能复制的对象需要实现两个协议之一,一个是<NSCopying>协议,一个是<NSMutableCopying>协议。
copy出来的对象是一个不可变对象,mutableCopy出来的对象是一个可变对象

浅复制:只复制对象的本身,对象里的属性、包含的对象不做复制(指针复制)。对象之间是相互联系的。

·深复制:复制对象本身,对象的属性也会复制一份(内容的复制)。对象之间是不相互联系的。


Foundation框架中支持复制的类,默认是浅复制


retain: 始终是浅复制(引用对象加一)

mutableCopy:    始终是深复制(引用对象不加一)

copy: 对于可变对象是深复制,对于不可变对象是浅复制

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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