写EEPROM，写FLASH经验记录

    最近在做一款产品移植。用户数据一共7块内容。老产品都是用EEPROM的读写方式通信，内在的东西不熟悉，看不到。

然而在STM32105里面，自己开始琢磨用户数据的保存，开始搬迁。首次玩此款芯片，经验不多经历了很多坎坷，写篇文章记录：

1、明确需求很重要。我的数据有4块是小数据而且经常要改动，有1块 数据不常用，内容几十字节。有1块数据接近2K，有1块数据大于2K。

2、明确平台资源。STM32105RC, 64KRAM,256KROM, flash的页大小2K一页。

3、寻找轮子，向前进。官网模拟EEPROM的例程：STM32F10x_AN2594_FW_V3.1.0优化(FLASH模拟EEPROM)

4、耐心磨刀。特别是经验不足的新手（我）。

    a.在第1调需求没明确，导致个别区块大小定义不准确。同样影响常用数据分类，数据大小分类的准确性

    b.七块数据保守估计4K，没理解透第2条，天真的去申请操作4K的数据。  

    c.没理解号轮子的特性，竟然误解优化的方法，想拿掉；竟然以为模拟EEPROM，一页可以存2K数据；实际上优化的方法方便读写数据的速度，模拟EEPROM，一半存的是虚拟地址，一半存的数据，准确来说还要预留4个字节存页状态，实际数据不足1K每页。

     d.实战经验缺乏，乱搞了很多次。例如模拟EEPROM写满一页需要回收有效数据，然后转移到新页

     e.折腾了好机会，开始独创新模式，采用模拟EEPROM的原则、理论、方法，单独定义页面来存储接近2K的数据，大于2K的块数据。无奈换页的时候，要么内存数据会被影响，要么换页数据不准确，大小 不到位。不过好事多磨还是解决 了。

总结：再好的记忆也比不上一个烂笔头。数据模型，FLASH存储，MEM申请和释放，数据编辑和换页操作。这4快都是要一笔一划清晰用笔头描绘出来。