eclipse 快捷键介绍

本文介绍了Eclipse中常用的快捷键,分为四大类:Ctrl+Shift组合键、Ctrl键、Ctrl+Alt组合键及单个快捷键。这些快捷键涵盖了代码查找、注释处理、视图调整等功能。

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今天给大家介绍一下eclipse快捷键,虽然eclipse的快捷键很多,但是我们可以找到一个更好的方式去记忆它们。正如本文所写,我把快捷键分为了下面三大类。本文属于金丝燕网原创,转载请注意版权。

第一类:快捷键Ctrl+Shift类,属于键盘上下位置的。

【Ctrl+Shift+K】【Ctrl+K】 快速向下和向上查找选定的内容
【Ctrl+Shift +G】 查找类、方法和属性的引用。全局性质的。
【Ctrl+Shift+/】【Ctrl+Shift+\】 块注释/销注释
【Ctrl+Shift+C】 单行注释,java中为//,xml为<!–>
【Ctrl+Shift +O】 快速生成import
【Ctrl+Shift+F8】 上一个透视图

第二类:使用Ctrl的快捷键。

【Ctrl+O】 显示类的方法和属性的大纲视图
【Ct rl+M】 窗口最大化和还原
【Ctrl+T】 查看接口或者类的继承关系
【Ctrl+H】 打开搜索框

第三类:快捷键Ctrl+Alt类,属于键盘左右位置的。

【Ctrl+Alt+H】 查看函数调用情况

第四类:单个快捷键
F3 定位到类的定义处
F4 查看类的继承关系
F5 跟踪到方法中,当程序执行到某方法时,可以按【F5】键跟踪到方法中。
F6 单步执行
F7 执行完方法,返回到调用此方法的后一条语句。
F8 继续执行,到下一个断点或程序结束

转载自:eclipse快捷键介绍

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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