24串高边BMS全套设计方案！

方案查看！https://mp.weixin.qq.com/s/Us-uaygMgw5JPZAJhNNi3Q

24串高边BMS全套设计方案！采用南京集澈电子的DVC1124设计方案！集成了高边NFET驱动、电荷泵、双ADC、硬件保护等先进功能。全集成高边驱动（无需外置隔离），内置电荷泵（VCP=6-12V）直接驱动高边NFET，支持充放电MOSFET控制（DSG/CHG引脚），支持源随模式（休眠时仅耗电8μA）。

• 双ADC同步采样（电压+电流）：
  
  独立VADC（电池电压）和CADC（电流），避免采样冲突。电压精度：±5mV误差（0.3-5.0V量程，100μV/bit分辨率，P7）。电流精度：CC1模式5μV/bit（±150mV量程），CC2模式0.3125μV/bit（P7）。
• 硬件级保护（无MCU依赖：

过压、欠压、两级过流、短路保护均由硬件触发。短路保护（SCD）响应时间≤60μs（阈值10-630mV可调，P18）。支持休眠模式下OCD2/OCC2保护（P12）。

• 3种模式灵活切换，LDO支持外部MCU供电。

正常模式：270μA（含VADC/CADC运行）。

休眠模式：60μA（保留FET驱动和二级保护）。

• 灵活均衡管理

奇偶交替均衡策略，避免相邻电芯同时放电。

均衡电流≤25mA（片内MOS）或可外扩NPN。

均衡时间同步于CADC周期（256ms固定）。

方案资料

此设计方案提供原理图+PCB(Kicad)+规格书+上位机软件+操作说明+注意事项。