IBM 在全球扩建云计算中心

IBM宣布在全球四个新地点开设云计算中心,分别位于巴西圣保罗、印度班加罗尔、韩国首尔及越南河内,使IBM的云计算中心总数达到14个。这些中心将为当地客户提供包括政府、教育机构及电信运营商在内的多种服务。

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周三,IBM 表示他们已经开放4个新的云计算中心以占据这个逐渐显现的市场。至此,IBM已经拥有14个云计算中心。这4个新建的云计算中心分别位于巴西圣保罗,印度 Bangalore,韩国首尔以及越南河内。

IBM, 连同 HP 等 IT 巨头,已经赶上了云计算的早班车,他们或者提供整体架构,或者提供服务,IBM 正在全球范围内建设云计算中心以进入这个新生市场。

在一份声明中,IBM 说,越南的云计算中服务的对象将是政府,大学以及电信运营商,如 Vietnam Technology and Telecommunications。韩国的云计算中心将面向银行,电信以及其它技术服务。在印度,IBM 将服务于中间商,大学,电信以及政府。巴西的 IBM 云计算中心将专用于一个大规模协同项目。

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本文国际来源:http://blogs.zdnet.com/BTL/?p=10141
中文翻译来源:COMSHARP CMS 官方网站

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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