一般取2ms,对动态RAM的全部基本单元电路必作一次刷新,称为刷新周期,又称再生周期。刷新的单位是行,仅需要行地址。
①集中刷新:在规定的一个刷新周期内,对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新,此刻必须停止读/写操作,称“死时间”或“死区”。(全部一起刷)
②分散刷新:对每行存储单元的刷新分到每个存取周期内完成。优点:没有死区。缺点:存取周期加长,整个系统速度降低。(一个个刷)一般取2ms,对动态RAM的全部基本单元电路必作一次刷新,称为刷新周期,又称再生周期。刷新的单位是行,仅需要行地址。
③异步刷新:是前两种方式的结合,既缩短“死时间”,又充分利用最大刷新时间间隔为2ms的特点。(一行行刷)
一行行刷的平均刷新时间:
行数 = 芯片容量 / 每行存储单元个数
平均刷新时间 = 间隔最长 / 行数
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动态RAM需要定期刷新以保持数据,刷新周期通常为2ms,包括集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式。集中刷新在短时间内完成所有行的刷新,但会导致读/写操作的暂停;分散刷新则在每个存取周期内刷新一行,避免死区但延长了存取周期;异步刷新结合两者优点,缩短死时间并有效利用刷新间隔。平均刷新时间取决于芯片容量和每行存储单元个数。

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