<?xml version="1.0" encoding="utf-8" ?><rss version="2.0"><channel><title><![CDATA[cmmjava的专栏]]></title><description><![CDATA[]]></description><link>https://blog.youkuaiyun.com/cmmjava</link><language>zh-cn</language><generator>https://blog.youkuaiyun.com/</generator><copyright><![CDATA[Copyright &copy; cmmjava]]></copyright><item><title><![CDATA[FinFET小信号分析关键参数修正]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/cmmjava/article/details/163290090</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/cmmjava/article/details/163290090</guid><author>cmmjava</author><pubDate>Wed, 29 Jul 2026 04:58:35 +0800</pubDate><description><![CDATA[本文探讨了将经典CMOS工艺下的二级运放小信号分析方法迁移至FinFET工艺所需的关键修正。FinFET的三维结构带来跨导(gm)、输出电阻(ro)和寄生电容等核心参数的模型变化：沟道宽度由鳍数量离散决定，ro因沟道控制增强而增大，但寄生电容更复杂。设计约束方面，低电压供电限制摆幅，自热效应显著影响参数，需采用gm/Id设计方法并重视工艺设计套件(PDK)的仿真验证。迁移本质是从连续参数优化转向离散化设计，在保持传统分析框架的同时，需通过仿真驱动设计来应对先进工艺的物理特性变化。]]></description><category></category></item></channel></rss>