Cherylzzx的博客

总是用到这些 干脆就做了个汇总 主要是半导体器件物理第五章

之前我们在介绍MOS和IGBT的文章中也有提到米勒电容和米勒效应的概念，在IGBT的导通过程分析的文章中我们也简单提到过米勒平台，下面我们来详细地聊一聊。米勒电容：上图是我们之前在讲MOS和IGBT的输入电容，输出电容和米勒电容的概念时看到过，下面是对应的公式：Ciss= CGE+ CGC输入电容Coss= CGC+ CEC输出电容Crss= CGC 米勒电容...

主要的散射机制： 升学形变散射 声学波压电散射 极性光学声子散射 合金无需散射 界面粗糙度散射 位错散射 调制掺杂的远程散射合金无序散射和调制掺杂的远程散射和势垒层的性质有关 界面粗糙度散射和异质界面的性质有关。压势垒层调制掺杂散射调制掺杂异质结中电子迁移率高的原因是而为电子气和施主杂质在空间上分离，从而降低了库伦散射的作用GaN HEMT中没有电离杂质对于的库伦散射，所以具有...

先从头理顺逻辑：什么是有效质量：计算出E-k关系之后，对于半导体来说，起作用的常常是接近于能带底或者能带顶部的电子，因此，只要掌握导带底或者价带顶就行了，把能量函数用泰勒级数展开，然后由于k=0的时候能量极小，所以dE/dK=0 因此可以得到一个式子导出有效质量，导带底电子的有效质量是正值，价带顶电子的有效质量是负值半导体中电子的加速度： 半导体器件在一定的外加电压下工作，半导体内部就产生...

高斯定理可以这么记忆：电场强度等于单位面积上通过的电通量，电通量就是电场线穿过的根数等于电荷量除以ε还有泊松方程： 泊松方程是拉普拉斯方程取0的时候的简化方程额，就是对电压求二阶导数，电场的一阶导数等于电通量。亚阈值电流：当源漏电压低于阈值电压的时候，此时沟道处于关断状态，但是源漏之间仍然有漏电流，这个电流称为亚阈值电流，是关态漏电流。亚阈值电流与栅长和栅宽都有关系，Ids=1...

前面的几种反型状态都是从半导体器件物理的时候学的，不想再看了。然后CV特性居然也不是我想要的CV界面固定电荷：直接到界面：主要是固定表面电荷，就是引起CV变化，还有使用氧离子注入。认为是在SI和SIO2界面的过剩Si离子导致的，采用的方法就是加上负栅偏压和热处理，果然硅离子在栅偏压的作用下移动。快界面态：外表面态是空气和氧化物的界面上，他们和半导体交换电荷时候，电子必须穿...

功函数：金属的功函数石真空中静止电子的能量和费米能级的差值。功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱。半导体的功函数：同金属但是半导体存在电子亲和能。导带底和真空能级的差值。接触电势差：真空中的能级E0是相同的，费米能级是相同的，所以需要有能带弯曲，功函数小的那个能带向下弯曲，功函数大的能带向上弯曲。对于n型半导体而言，能将电子导出的接触是形成反阻挡层的，也就是说能带要向下弯...

5.2准费米能级准费米能级：半导体的 平衡态受到破坏处于非平衡状态。但是对于夹带和导带中的电子来讲，各自处于平衡态，而费米能级和统计分布函数对各自的导带和价带还是适用的。热平衡状态的费米能级是统一的。当温度和掺杂一定的时候，载流子寿命是一个常数。寿命与多数载流子浓度成反比，或者说，半导体电导率越高，寿命就越短。间接复合：杂质和缺陷具有促进复合的租用，这些促进复合过程的杂质和...

我们只知道半导体的基本概念和载流子的统计分布，还得知道载流子的运动规律。所以需要学习载流子的漂移运动。电导率和迁移率之间的关系：σ=nqμ载流子在运动的过程中，受到晶格热振东或者电离杂质以及其他杂质离子的影响，不断遭到散射，载流子速度被改变 载流子为什么会遭受散射？根本原因是因为周期性势场被破坏。电离杂质散射：主要是一个库伦势场。晶格振动的散射：原子的振动都是若干不同的基本波...

第三章 半导体中载流子的统计分布半导体中的导电电子和空穴是依靠电子的热激发作用而产生的，也可以通过杂质电离方式产生。与此同时，电子也可以从高能量的量子态跃迁到低能量子态，发生载流子复合。在一定的温度下， 产生和复合达到动态平衡的时候，称为热平衡状态。半导体的导电性强烈的随温度变化，因为载流子浓度会随着温度变化。先要知道允许的量子态能量如何分布，然后还有电子在允许的量子态中如何分布。3....

半导体物理第二章 半导体中的杂质和缺陷能级为什么要研究杂质和缺陷能级啊？第一是因为这事客观存在的：因为现实中有一些偏离理想的复杂情况，首先，原子自己不是静止的，不是在严格的周期性晶格的格点位置就不动了，而是在平衡位置上会发生振动；其次，杂质是必然存在的，再次，实际晶格结构并不是完整无缺的，存在着各种形式的缺陷。晶格中原子周期性排列被破坏，形成缺陷。点缺陷，线缺陷，面缺陷。第二是因为它们会对半导...

半导体物理复习专题-第一章第一章 先说半导体中的电子状态半导体中的电子状态为什么要研究半导体中的电子状态：因为物理性质有密切关系电子状态是什么？晶体材料有大量原子周期性排列而成，原子又有许多原子核和电子，利用薛定谔方程和解就可以得到状态，但复杂的多体问题没法求出严格解，所以需要用单电子近似来研究固态中的电子能量状态。什么是单电子近似？电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场和其他...