RAM内存 & ROM存储

RAM 内存

特点与类型：
    易失性存储器，断电不保存，如SRAM,DRAM,SDRAM,DDR，LPDDR

不同类型的特质：
    1，SRAM: S->static(静态)，6个晶体管存储一个bit，不需要周期性补充电源来保持记忆，故为静态。存取速度快，成本高，
        主要用于对容量要求低对速度要求高的存储器, 如中央处理器 内建256kb，512kb,1mb的快取存储器，一般都是使用SRAM.

    2，DRAM: 1个晶体管和一个电容存储一个bit，使用时需周期性的补充电源来保持记忆的内容，故称为动态。
         DRAM构造简单，存取速度慢，成本低。如个人电脑主板使用1GB以上的DDR-SDRAM也属于DRAM的一种。

    3，SDRAM: CPU与主机板上的主存储器（SDRAM）存取资料时的工作时脉相同故称为同步，SDRAM的存取速度较DRAM快。

    4，DDR-SDRAM：两倍速率的SDRAM。

    5,LPDDR：是DDR SDRAM的一种，面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。

ROM存储

特点与类型：
    非易失性存储器，如ROM,PROM,EPROM, EEPROM,NOR Flash, NAND Flash

各类型特质：
    1，ROM: 只读存储器，一次性制造，不可修改。
    
    2，PROM：只允许写入一次，基本也是不可修改

    3，EPROM: 可擦写可编程只读存储器，擦除需紫外线照射，非常不方便。

    4，EEPROM: 电可擦除可编程只读存储器，直接用电信号即可擦除，编程时间长，有效编程次数低

    5，NOR Flash: 基本存储单元为并联，故可以实现位读取，读取速率快，存储密度低，适用于代码存储，不适合存储数据。

    6，NAND Flash:  基本存储单元为串联，故减少了金属导线占用的面积，存储密度高，适用于需要大容量存储的场合，不可位读取，
                   故程序也不可运行，NAND适合存储数据。