寄存器内存读写指令（二） —— 多寄存器读写 LDM / STM

最新推荐文章于 2025-04-22 19:14:57 发布

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#arm开发

本文介绍了ARM处理器中用于提升效率的STM和LDM指令，用于一次性读写多个寄存器的数据。STM指令将多个寄存器数据保存到内存，LDM指令则从内存读取数据到多个寄存器。这两个指令有多种内存操作方式，如IA（IncreaseAfter）、IB（IncreaseBefore）、DA（DecreaseAfter）和DB（DecreaseBefore），分别对应不同的地址更新策略。通过这些指令，开发者可以更高效地处理批量数据操作。

有的时候，CPU可能会遇到 a++; b++; c++，这个时候为了提升效率，CPU可能会一次将多个寄存器里的变量保存到内存中。这个时候之前介绍的 LDR / STR 指令虽然也能实现，但只能操作一个寄存器的读写。

因此，考虑到这点，下面介绍多个寄存器的读写指令

将多个寄存器的数据写入到内存 —— STM指令
从内存中读取数据保存到多个寄存器 —— LDM指令

1、基本读写指令

(1) STM 指令

STM指令的作用是将多个寄存器的数据依次保存到内存中的某一个位置。

指令格式：

STM 第一操作寄存器, {起始寄存器 - 末尾寄存器}
STM 第一操作寄存器, {寄存器1, 寄存器2, ...}

MOV R1, #0x1
MOV R2, #0x2
MOV R3, #0x3
MOV R4, #0x4
MOV R11, #0x40000000

STM R11, {R1-R4}      @ 将R1-R4寄存器中的数据保存到以R11为起始位置的内存中（R11地址不随内存自增）

STM R11, {R1, R2, R3, R4} @ 与上面等价（R11地址不随内存自增，即R11就是起始地址）

STM R11!, {R1, R2, R3, R4}  @ 在R11的后面加上“ ! ”可以让R11中的地址随内存的存储位置自增变化