caozhaokun的博客

提供更小的泄放路径，泄放到地，且不走隔离芯片内部泄放过多的能量，保护隔离芯片。2）隔离芯片内部的通道之间（隔离栅）有等效电容Ciso，容值非常小，几pF左右，迅速被ESD能量充满，过多的ESD能量会迅速通过Csio电容泄放到地；电源上叠加的能量泄放搭到信号PE地，由于信号的PE地和隔离地之间有压差，能量也会通过内部隔离栅等效电容Csio泄放到隔离地。3）瞬态时，电容电压急剧变化，等效电容两侧的电压一旦超过耐压极限，极容易损坏隔离栅（隔离栅一般可承受的ESD电压为4KV）小能量泄放，可以通过TVS；

国标 GB/T 17626.2-2018 中关于静电试验等级的划分、评价的分类、结果的判定。