C_ROOKIES的专栏

一个简单的答案就是管子烧毁。而且还发现，管子反向击穿后，电流从大往小变，电压只有很微小的下降，一直降到某个电流值后电压才随电流的下降急剧下降。这个时候我可以调整限流电阻，减小电阻，扩大电流，看看稳压管电压会不会起来，实验测试减小电阻后，电压起来了。总结：很多硬件都可以从电流分析，首先稳压管的特性是反向击穿，然后能保持稳定电压，但是这个电流要稳定在一个范围，太大就会烧毁，太小不能稳定在预想的电压值。一般的稳压管有一个Izt 额定工作电流，我目前用的是5mA的，但是实际负载超过5mA,这样就需要减小限流电阻。.

恒流的电流大概是Q2三极管的Vbe/R1。R2为限流电阻。

高速光耦6N137 VO就是VCE的电压，在5V左右。6N136 最高可以在20V左右。普通光耦PC817

TVSTVS（Transient Voltage Suppressor） 或称瞬态抑制二极管，是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同，外形也与普通二极管无异,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度（最高达1/(10^12)秒）使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。（百度百科）总结：当有高能量脉冲冲击的时候，TVS 在1ps内导通来释放脉冲能量。并且箝位在一定的电

1.相同匝数，但是方向相反，这样流过电流的时候，产生的磁场互相抵消。2.电感经过高频信号阻抗变大，使得信号衰减。

PGA放大倍数越大 V2越接近Vc。总结：只要R4上面流过的电流越小，压差越小。V2就越接近Vc。放大倍数越大，也就是R3数值越大，其它参数不变，R4电流减小。

ω= 角度/时间Xc=1/(2πfC)Xc = 1/（ωC）= 1/（2πfC）Xc--------电容容抗值；欧姆ω---------角频率（角速度）π---------圆周率，约等于3.14f---------频率，我国国家电网对工频是50HzC---------电容值 法拉一个正弦波的角速度ω=2πf...

总结知识要点，核心是运放的方法倍数很大，输入阻抗很大，所以输入电流几乎可以忽略。这个是关键点。图中1-1的推到公式来的简单粗暴，只要电路形成了闭环，就相当于是一个普通电路有了回路，按照上面总结的特性，通过欧姆定律。可以计算Ux = U0R2/(R2+RF).运放放大的是差分信号，所以U0 = Au(Us-Ux)按照一般的理解，不是满足虚短虚断吗，应该是Us=Ux。问题就在这里，这个Au是运放的方法倍数，我开始就搞晕在这里。因为这个Au很大，随意能够放大很微弱的信号。...

1.电感阻抗 XL = 2*PI*F*L2.电容阻抗XC= 1/(2*PI*F*C)LC的滤波器截止频率 Fc = 1/(2*PI*SQRT(L*C))Q值越小越稳定，Q值越大越不稳定。RC滤波器 截止频率fc = 1/(2*PI*(R*C))

如何R1=10K C1 = 10nF实际上想要的是不衰减信号 低通用的，实际上信号被衰减了。按照放的计算 实际上是5倍放大（5*1./4）*（5+1）- 5*1= 2.5V看图中蓝色线 波谷就是2.5V。(负反馈相位错位180，实际也就是反向)同理按照公式 Vout = (A+1)*Vp - A*VnA = 10 Vp = 1.25v vn = ?Vout = 2.5V.（希望输出在2.5V）按照公式 计算Vn = 1.125v...

按照运放虚短规律，满足这些规律需要有反馈网络。图中形成了 负反馈电路,这样无论负载怎么变，反馈会自动把负端稳定到了正端电压一样。

放大是差模信号。如果有接了反馈电阻，按照欧姆定律计算放大倍速。放大是差模后的Au倍数。以前理解有点问题，再次Mark.而且一般的运放输入不是轨对轨要注意输入范围，超出也能放大，但是工作不正常。一般放大看见 正负反馈都有 一样的电阻电容。...

很多时候检测外部中断的时候，发现有误触发的情况。1.通过软件方法 过滤。2.加小电容.

运放两个输入端 都是0 的时候，测试输出的电压，一般都需要校准。

　假设有电源Vu通过电阻R给电容C充电，V0为电容上的初始电压值，Vu为电容充满电后的电压值，Vt为任意时刻t时电容上的电压值，那么便可以得到如下的计算公式：　　Vt = V0 + （Vu – V0） * ［1 – exp（ -t/RC）］　　如果电容上的初始电压为0，则公式可以简化为：　　Vt = Vu * ［1 – exp（ -t/RC）］　　由上述公式可知，因为指数值只可能无限接近于0，但永远不会等于0，所以电容电量要完全充满，需要无穷大的时间。　　当t = RC时，Vt = 0.

记录一下。一直知道这个东西，但是概念很模糊。总结一下是利用开关电路 对电容充电，然后通过电路让电容和电源串联，因为电容电压不会突变的原理，电压会被倍压。

从右边来分析，10K和10K 从这个位置 电流电流分开了，变成两个支路，电流每次经过一个节点被分开。所以最右边接上VCC，左边计算出来就被分了1/256 VDD。按照电压叠加原理，8个状态就是256个组合，也就是8bit的DAC。这样，就可以用IO口实现，或者使用移位芯片做一个DAC。R8 10KR16 10K两个阻抗为5K，电压为1/2 VDD 实际等效就是阻抗为...

设计背光电路的时候遇到有些需要外部供电的控制VCC的，这个时候外部控制高端电路，下端为背光LED。这样就用PNP三极管。也可以用来做为开关信号高电平。遇到需要控制信号为低电平的，如果直接接一个下拉电阻，当然也可以，但是电路的负载加大了一点，低功耗不好做，这个时候就需要控制下端开关，就用NPN三极管。...

晶体管电子电路中。讲的三极管电路,加速开关速度。一个在基极电路中并联了一个小的电容，这样做的意思，是加快导通速度。因为存在一个限流电阻，三极管的基极电路是慢慢增加的，如果并联电容 ，开关瞬间导通，肖基特二极管导通速度快。利用二极管钳位，使得三极管不进入深度饱和。这样加快了导通速度。出来波形前面有缓慢上升的波形，书中解释说的弥勒效应，Ri基级电阻和和三极管寄生电容组...