41、微带不连续性分析与传输线矩阵（TLM）方法

微带不连续性分析与传输线矩阵（TLM）方法

微带不连续性分析

在微带电路的设计和分析中，微带不连续性是一个重要的研究课题。微带不连续性会对电路的性能产生显著影响，因此准确分析微带不连续性对于电路的优化设计至关重要。

散射参数的频率依赖性

散射参数是描述微带不连续性的重要指标。图23展示了散射参数S11和S21的相位随频率的典型变化。在零频率时，S11的相位角为180°，S21的相位角为0°。随着频率的增加，反射系数的相位角减小，而传输系数的相位角增加。这种相位的频率依赖性在具有低（<50Ω）特性阻抗的阻抗阶跃情况下较为明显，而从50Ω到更高特性阻抗的阻抗阶跃，其散射参数的相位角对频率的依赖性则较低。

频率（GHz）	S11相位角（°）	S21相位角（°）
0	180	0
2	170	10
4	160	20
6	150	30
8	140	40 <