论文阅读:implementing flash page reuse with WOM codes

这篇论文探讨了如何通过WOM (Write-Once Memory) 编码解决闪存PE寿命问题，减少块擦除次数以延长SSD寿命。WOM编码允许在物理写入之前修改逻辑数据，使细胞在多次写入之间重用。文章对比了SLC和MLC上的应用，指出MLC存在的限制，并详细介绍了编码策略及其考虑因素，包括额外空间、编解码效率和成功率。由于闪存接口不支持重新编程，需要特殊硬件支持，并讨论了MLC的state mapping挑战和潜在的错误率提高问题。

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摘要

针对的是flash存储的pe寿命问题。WOM代表write-once memory，写之前必须先擦除。而减少块擦除有WOMcodes算法。

detail

写前擦除的机制，不光会使io本身延迟增加，同时会影响ssd的寿命。
WOMcodes在物理写之前，修改逻辑数据，从而允许cell可以再多个写之间重用。增加每个block在必须被擦除之前所保存的数据数量。
但是WOMcodes运用在SLC和MLC上是不一样的，MLC存在一些限制。
之前的ssd设计多基于仿真环境而不是真实平台。尤其是，cell磨损和能源开销方面没有进行过比较。
行文思路，先讲flash page reuse能带来多大程度而提升，然后讲MLCflash使用pagereuse的限制。FTL设计上的应用，实验设置和具体实现。最后是性能比较和相关工作。

WOMcodes：
在这里插入图片描述
在3个bit位记录2个bit的数据2次（保证每个bit只从1到0），如果前后两次数据一样，则不改变（所以01-01不会带来问题）。
这种编码几个需要考虑的点，额外空间开销，编解码效率，成功率（产生一个编码输出可以进行第二次编码的概率）。牺牲其中任何一个都能提高另外两个。比如table1，成功率100%，复杂度o（1），但额外空间50%.
POLAR和LDPC也是WOM code家族的成员。

而因为flash接