存储器寻址

DRAM的逻辑BANK概念是针对内存颗粒内部的。大家都知道DRAM内部的存储单元是以阵列形式排列的。如下图所示。行列地址总线分别经过行列地址译码器译码后分别指向一行和一列，行列重叠的单元就是我们所寻找的存储单元，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存颗粒来说，这个阵列就是逻辑Bank(Logical Bank，简称L-Bank)。 
       

                                                           

                                                              

    但是，在实际应用中，由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-BANK，而且最重要的是，由于DRAM的工作原理限制，单一的L-Bank将会造成严重的寻址冲突，大幅降低内存效率。所以人们在DRAM内部分割成多个L-Bank，每个L-Bank形状相同，彼此独立，可以独立工作。早期的DRAM芯片内部分为2个L-Bank，后来是4个，DDR3内存芯片为8个