信号量机制

本文介绍了信号量机制,作为一种重要的同步工具,信号量包括整型、记录型和AND信号量,其值通过P、V操作进行管理,用于控制对共享资源的访问。

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简介

信号量是一种数据结构

信号量的值与相应资源的使用情况有关

信号量的值由P、V操作改变

常用信号量

整型信号量

整型信号量S的等待、唤醒机制(P,V操作)
wait(S){
    while(S<=0)  do no -op
    s--;
}
signal(S){
    S++;
}
分析:当临界资源在使用时,S = 0,当有另外的线程访问临界资源时,先执行while循环,因为S = 0,所以会一直执行这个死循环,直到某个线程将S改为1,跳出循环,获得临界资源的使用权,此时,该线程把S改为0。
缺点:这种信号量机制会导致等待线程一直等待,无法释放CPU的执行权,相当于自旋锁,不满足让全等待的特点

记录型信号量

typedef struct{
	value:int;
	L :list of process;
}semaphore;

S.value被称之为资源信号量。
当S.value >= 0时,代表系统当中可用资源的数目;
    S.value < 0时,表示等待使用资源的进程个数。
S.L代表等待的进程队列


P操作,申请临界资源,所以阻塞队列是按照对资源的使用分类的
wait(semaphore *S){
	S.value--;  		//可用资源数目减1,当S.value<0时,表示阻塞线程的数目
	if(S.value < 0){
		block(s,L)  	//将s进程放入阻塞队列L中
	}
}
V操作,释放临界资源
 
signal(semaphore *s){
	S.value++;
	if(S.value <= 0){
		wakeup(s,L)     //唤醒L队列的s进程,进入就绪状态
	}
}	
当S.value = 1时,只允许一个进程访问临界资源,是互斥信号量。


AND信号量

将进程在整个运行中需要的所有资源,一次性全部分配给进程,待进程使用完后一起释放
wait(s1,s2,...,sn){
	if(s1>= 1 && ...&& sn>=1){
		for(i = 1;i<=n;i++){
			si--;
	}
}
signal(){
	for(i = 1;i<=n;i++){
			si++;
	}
}
And信号量的提出有效的解决了程序死锁的问题


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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