宁静以致墨的专栏

只读存储器（Read-Only Memory，ROM）以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。ROM所存数据通常是装入整机前写入的，整机工作过程中只能读出，不像随机存储器能快速方便地改写存储内容。ROM所存数据稳定 ，断电后所存数据也不会改变，并且结构较简单，使用方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。 [1]除少数种类的只读存储器（如字符发生器）可通用之外，不同种类的只读存储器功能不同。为便于用户使用和大批量生产，进一步

随着无线通信事业的发展，行业对于射频前端方案的性能关注越来越多，LNA（Low Noise Amplifier, 低噪声功率放大器）作为Receiver的第一级有源模块，其对接收机系统的性能有着非常重要的影响。Figure 1 LNA在射频系统中的位置噪声的基本理论LNA的性能和噪声的机理密切相关，其实主要是LNA内部的器件容易受到噪声影响。通信射频电路中通常的噪声来源主要分为以下几种：1.1 热噪声热噪声的引入通常是导体电荷布朗运动的结果，并且这种运动会随着温度的上升而加剧，电荷的随机运动引

存储器又称闪存，主要有两种：NorFlash和NandFlash。在实际开发中，设计者可以根据产品需求来进行闪存的合理选择。下面我们从多个角度来对比介绍一下。1、接口对比NorFlash带有通用的SRAM接口，可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上，对CPU的接口要求低。NandFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。由于时序较为复杂，所以一般CPU最好集成NAND控制器。另外由于NandFlash没有挂接在...

驻波=行波+反射波由于驻波的产生，形成数码波形的频率的增幅扩大，导致噪音增大。EMI: electromagnetic interference 电磁干扰电磁干扰主要分为两种传导：共模噪声（CMN）以及差模噪声（DMN）。共模噪声的电流在两个输电线上以相同的方向流动并通过地线返回。差模噪声又称为正常型、对称噪声或线路间噪声，它存在于交流线路和中性导线中，二者相位差为180°。对于辐射干扰，采用屏蔽技术来消除效果最好。而对于传导干扰，采用磁性滤波器件来消除、抑制则是最有效和最经济的.

辐射噪音内容：外漏的电磁波。发生源是信号线或电源线。对策元件：以BK（多层铁氧体绝缘柱）、角薄片电感器 FBM的铁氧体商品为主。也可以用电阻或电容器。传导噪音（杂音端子电压除外）内容：来自传导DC的电源线。发生源是DC/DC电源等。并伴有切换噪音。对策元件：在DC/DC中，以SMD电感器 NP、线圈薄片电感器 LB等的铁氧体的产品和电容为主。波动电压（电流）内容：驱动IC时因发生电压下降所引起的变动。对于CPU等消耗电力较大的电源线来说是问题。对策元件：以电容器为主静电内容...

磁珠的功能：主要是消除存在于传输线结构（电路）中的RF噪声，RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正选波成分，直流成分是需要的有用信号，而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射（EMI）.该器件允许交流信号通过。而过滤交流信号。磁珠有很高的电阻率和磁导率，它等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。注:磁珠的单位是欧姆，而不是亨利。磁珠和电感的区别：电感是储能元件，而磁珠是能量转换（消耗）器件。电感多用于电源滤波回路，侧重于抑制传导性干扰；磁珠多用于信号回路，主要.

问题一 使用串口工具进行充电时会引起充电盒的反复复位。解决办法调高vbus的最小输入电压，可以调到4.5v。问题二 测试电流从vbus开始测试，设置的电流为400ma，但是测试的电流为小于400ma。原因是测试的位置不对，到电池的电流为400ma。vbus电压*vbus电流 = 电池电压*电池电流vbus电压>电池电压 因此vbus电流小于400ma。问题三 ...

如果设置电池的充电电流为400ma，在VBUS处测试的电流不是400ma。测试的结果要比400ma要低，是因为如下：假设电池的电压为3.8v5.2*（测试电流）+系统功率（先忽略） = 3.8*400测试电流 = 292ma上述是因为电压不相等引起的，但是功率是相同的。...

1、温度与NTC阻值是厂家手册上的。电压 = （电压*NTC阻值）/(外围电阻+NTC阻值) MCU电压 3.3 外围电阻 100 温度 NTC阻值(kohm) 电压 -5 33.8922 0.835330662 -4 32.4197 0.80792367 ...