<?xml version="1.0" encoding="utf-8" ?><rss version="2.0"><channel><title><![CDATA[babe_A_salt_fish的博客]]></title><description><![CDATA[]]></description><link>https://blog.youkuaiyun.com/babe_A_salt_fish</link><language>zh-cn</language><generator>https://blog.youkuaiyun.com/</generator><copyright><![CDATA[Copyright &copy; babe_A_salt_fish]]></copyright><item><title><![CDATA[半导体物理学——（四）半导体的导电性]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/babe_A_salt_fish/article/details/109654371</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/babe_A_salt_fish/article/details/109654371</guid><author>babe_A_salt_fish</author><pubDate>Fri, 13 Nov 2020 00:24:23 +0800</pubDate><description><![CDATA[载流子的漂移运动和迁移率
*欧姆定律

漂移运动与迁移率

半导体的电导率与迁移率

对于n型半导体Jn起主要作用，对于p型半导体Jp起主要作用，对于本征半导体，用本征载流子浓度分别于Jn Jp相乘。
载流子的散射
含义：载流子在半导体中运动时，便会不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生作用，或者说发生碰撞，碰撞后载流子速度的大小及方向就发生改变，用波的概念，就是说电子泊在半导体中传播时遭到了散射。
自由载流子：实际上只在两次散射之间才真正是自由运动的，其连续两次散射间自由运动的平均路程称为平均自]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[半导体物理学——（三）半导体中载流子的统计分布]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/babe_A_salt_fish/article/details/109625155</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/babe_A_salt_fish/article/details/109625155</guid><author>babe_A_salt_fish</author><pubDate>Thu, 12 Nov 2020 19:32:21 +0800</pubDate><description><![CDATA[产生导带电子和价带空穴的方式：杂质电离与本征激发。
本征激发：在一定温度下，电子直接从价带跃迁到导带，形成导带电子和价带空穴。
杂质电离：当电子从施主能级跃迁到导带时产生导带电子，电子从价带激发到受主能级时产生价带空穴；当然，电子也可以能高能量的量子态跃迁至低能量的量子态，即电子向下跃迁到施主能级与价带，释放出能量，此时，价带中的空穴逐渐减少，称为载流子的复合。这一过程称为热平衡状态，热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。其浓度随温度变化。
状态密度：在半导体的导带和价带中，有很多能级存在，但相邻能]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[半导体物理学——（二）半导体中杂志和能级缺陷]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/babe_A_salt_fish/article/details/109619561</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/babe_A_salt_fish/article/details/109619561</guid><author>babe_A_salt_fish</author><pubDate>Wed, 11 Nov 2020 15:50:19 +0800</pubDate><description><![CDATA[实际半导体与理想半导体的区别

理想半导体：假设晶格原子严格按照周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。
理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。
理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷线缺陷面缺陷等。
杂质分类


浅能级杂质的计算（杂质电离能）


杂质的补偿作用施主杂质与受主杂质之间有相互抵消的作用
双性行为Si(+4)在AsGe中取代As(+3)表现为受主杂质[吸收一个电子并形成负电中心]，取代Ge(+5)表现为施主杂质[释放一个]]></description><category></category></item><item><title><![CDATA[半导体物理学——（一）半导体中的电子状态]]></title><link>https://blog.youkuaiyun.com/babe_A_salt_fish/article/details/109610775</link><guid>https://blog.youkuaiyun.com/babe_A_salt_fish/article/details/109610775</guid><author>babe_A_salt_fish</author><pubDate>Wed, 11 Nov 2020 00:50:23 +0800</pubDate><description><![CDATA[半导体物理学——（一）半导体中的电子状态
导带，价带，禁带根据电子先填充低能级的原理，则下面一个能带填满了电子，相应于共价键中的电子，称为价（满）带Ev；上面一个能带是空的，没有电子，称为导（空）带Ec；中间隔着禁带（Ec-Ev=Eg）。
半导体与金属导体的区别半导体中，导带的电子和价带的空穴均参与导电，而金属导体里参与导电的是自由移动的电子。
绝缘体与半导体的区别绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大的能量，常温时，较难将电子激发到导带中去，所以导电性很差。而半导体禁带宽度较小，常温时有不少电子被激发到导]]></description><category></category></item></channel></rss>