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RSS订阅原创 不只是Vc和Ipp！TVS选型必须关注的“隐藏”参数Rdyn
TVS管动态电阻Rdyn是影响保护性能的关键参数，定义为击穿区域电压与电流变化量的比值。实际钳位电压会随浪涌电流增大而上升，其增量由Rdyn决定。Rdyn越小，钳位电压波动越小，保护效果越好。选型时需结合被保护电路的耐压需求、预期浪涌电流及Rdyn参数综合评估，优先选择动态电阻更低的型号以确保可靠防护。这一常被忽略的参数对高精度保护设计尤为重要。
2025-06-03 14:21:14
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原创 一文读懂TVS二极管的奥秘与选型
TVS二极管是电子电路防护瞬态过电压的关键器件。它利用雪崩击穿效应，能快速响应（皮秒级）将过电压钳位在安全值内并分流浪涌电流，保护敏感元件。选型需关注最大反向工作电压、击穿电压、钳位电压、峰值脉冲电流等参数，并根据应用场景选择单向或双向类型。TVS二极管广泛应用于电源端口、I/O接口、汽车电子等领域，具有响应快、可靠性高等优势，但对持续大浪涌需配合其他保护器件使用。正确选型和布局对确保电路安全至关重要。
2025-05-29 15:27:00
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原创 不只是容值：陶瓷电容绝缘电阻与漏电流详解
陶瓷电容器（MLCC）的两个重要但常被忽视的参数：绝缘电阻（IR）和漏电流（LC）。绝缘电阻反映电容器阻止直流泄漏的能力，漏电流则是介质微小电流流动。文章分析了影响这两个参数的关键因素，包括温度、电压、测试时间和介质材料（如C0G/X7R）。这些参数对低功耗设备、高阻抗电路和精密应用的性能至关重要。文中还指导如何从数据手册中解读相关规格，并针对不同应用场景提出了选型建议。理解这些特性有助于工程师优化电路设计，提高系统可靠性和能效。
2025-05-29 09:15:00
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原创 MLCC选型“踩坑”指南：别让直流偏置“吃掉”你的电容值！
多层陶瓷电容（MLCC）的直流偏置电压（DC Bias）效应会导致容值显著下降，影响电路性能。Class II MLCC（如X7R、X5R）采用钛酸钡等高介电材料，其内部电偶极子在直流电场下有序排列，导致介电常数降低，容值缩减。设计建议包括：查阅规格书预留容值余量、选择更高耐压或更大封装的电容以减弱偏置影响，或改用稳定性更好的Class I电容（如C0G/NP0）。理解并规避DC偏置效应，可提升电路可靠性。
2025-05-27 16:16:09
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原创 MOS 管应用中一定要关注的Ron
MOS管的导通电阻R_DS(on)是影响电路设计的关键参数，常被初学者忽视。它由漏极接触电阻、沟道电阻和源极接触电阻组成，会导致功率损耗增加、压降增大和信号完整性等问题。R_DS(on)受温度、栅源电压和漏极电流影响，具有正温度系数特性。选型时需评估导通损耗、控制电压降、考虑温度影响，并确保最佳驱动条件。合理选择MOS管和散热设计可提高系统效率和可靠性。
2025-05-27 11:22:12
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原创 从0和1的平衡艺术：一文读懂直流平衡
直流平衡技术是高速串行通信稳定传输的核心保障，可有效解决基线漂移、时钟恢复等关键问题。8b/10b编码通过运行差异机制(RD)，在25%带宽开销下实现严格的直流平衡与5位最大游程限制，广泛应用于USB/SATA等早期标准。随着速率提升，64b/66b（3%开销）等新型编码结合加扰技术，在保持统计平衡的同时显著提高效率。文章系统解析了从经典8b/10b到现代PAM4编码的技术演进，揭示了高速信号完整性设计的关键原理，为电子工程师提供底层通信技术的深度认知框架。
2025-05-26 16:55:28
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原创 什么是“算力”？一文看懂硬件如何驱动计算革命！
从字面理解，算力（Computing Power）即计算能力。更具体地说，它是指信息处理设备在单位时间内能够完成的计算任务量。每秒百万条指令数。这主要用于衡量CPU执行定点整数运算的能力。例如，一个CPU标称1000 MIPS，意味着它每秒可以执行10亿条基本指令。每秒浮点运算次数。这是衡量科学计算、图形处理、人工智能等领域算力的主要指标，因为这些领域涉及大量的小数运算。
2025-05-26 16:32:10
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空空如也
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