ROM PROM EPROM EERROM FLSAH区别

本文详细介绍了不同类型的ROM存储器,包括ROM、PROM、EPROM、EEPROM和Flash的特点及工作原理。ROM不可编程;PROM只能写入一次;EPROM支持紫外线擦除并可重复使用;EEPROM为电可擦除可编程只读存储器,便于更新;Flash则是一种特殊的EEPROM形式,适用于大容量存储。

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rom:不能编程
prom:只能写一次
EPROM:可多次擦除写入,每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下.
EEPROM:的全称是“电可擦除可编程只读存储器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种,变成了一类存储器的统称

flash:

flash属于广义的EEPROM,因为它也是电擦除的rom。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM,我们都叫它flash。

<think>好的,我现在需要回答用户的问题:STM32F103C8T6芯片是否内置EEPROM。首先,我要回顾一下自己对这款芯片的了解。 根据引用[2]和引用[3],STM32F103C8T6是STMicroelectronics的基于Cortex-M3内核的微控制器,常用于嵌入式系统。引用[2]提到最小系统板通常只有外部复位、时钟电路和MCU本体,没有外置EEPROM等设备。而引用[4]则提到了使用外部AT24C系列EEPROM的项目,说明可能需要外接EEPROM。 接着看引用[1],里面提到通过内部Flash模拟EEPROM,这说明芯片本身可能没有内置的EEPROM,而是用Flash来模拟。通常,内置EEPROM的STM32型号会有明确说明,比如某些F0或L系列芯片。而F103系列一般没有内置EEPROM,所以用户需要通过Flash模拟或者外接芯片。 因此,综合这些信息,可以得出结论:STM32F103C8T6没有内置EEPROM,但可以通过内部Flash模拟实现类似功能,或者使用外接EEPROM如AT24C系列。</think>STM32F103C8T6 **不内置物理EEPROM**,但可通过其内部Flash存储器模拟EEPROM功能[^1]。以下是具体分析: 1. **芯片硬件特性** STM32F103C8T6属于STM32F1系列微控制器,其硬件规格中未包含独立EEPROM模块。根据数据手册,该芯片仅有64KB Flash和20KB SRAM存储资源[^3]。 2. **Flash模拟EEPROM的实现** 开发者可通过软件算法将部分Flash空间划分为虚拟EEPROM区域,实现数据存储功能。该方案需要特殊处理: - 擦写次数限制:Flash页擦除次数约$10^4$次,远低于EEPROM的$10^6$次 - 数据管理:需通过磨损均衡算法延长使用寿命 - 代码实现示例参考引用[1]中的开源项目 3. **替代方案** 若需要物理EEPROM,可通过I2C接口外接AT24C系列芯片,如引用[4]中提到的AT24C02/04/08等型号,实现更可靠的存储性能。
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