程序猿徐师兄的博客

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举个例子：小编以前就采用了自定义的接插件供电，其中有一块板子短路了，需要维修，一开始不知道拿到了定义反了的线材，就在那里维修，迷迷糊糊搞了一个下午图片，但事情没那么简单，板子上面的插件液态电解电容还炸了图片，真是懵逼了。不同的是，PMOS的导通电阻比同类型的NMOS要大，这会增加电源损耗，且NMOS应用广，容易生产，故建议使用NMOS。注意：选型的时候，需要重点考虑过流能力，需要留有足够的余量，避免由于耗散发热大而影响周边电路，必要时候可以考虑并多一个二极管上去。正向压降低，能降低耗散在二极管上的功耗）

HUB需要一分N，如果同时接上USB2.0，USB1.1，USB1.0的设备，如果HUB里面没有TT，那么主板上的原生USB2.0口需要不断去切换，识别HUB上所接的设备的协议，就会乱套；以前呀，我也不清楚MTT与STT的区别，记得有一次选型的时候，很懵逼，结果还是按照以前同事的方案去选了，到后面想起来才抽空整明白了。当然，当接入USB2.0设备的时候，是不需要使用到TT的，如果四个port同时接入USB2.0设备，那么速率应该是分摊的。MTT在USB1.1与USB1.0的表现性能优于STT。

需要提醒的是，数据手册的爬电距离参数的对象芯片，如果系统中有更短通路，那么这个更短距离才是这个电路的隔离爬电距离。VCC1 和Viso2之间的爬电距离可能比D1和Diso2之间的爬电距离更短，而更短的距离值决定了电路的爬电距离值。如下图所示，clearance是两侧引脚通过空气的最短距离，creepage是两侧引脚通过隔离材料表面的最短距离，DTI是通过导电体之间的隔离填充材料的最短距离。说到隔离，一般能想到的就是电源隔离 、信号隔离：隔离DCDC，GPIO隔离，RS485隔离，CAN隔离等。

很多时候有疑问，CLKREQ#是否要接，首先要知道的是，这个信号是可选的，可要可不要。注意，虽说PCIE时钟有三种架构，但是最常用的还是CC架构，无特殊情况，不要使用其他时钟架构，如果真的要使用其他两种架构，也需要严谨评估先。鉴于PCIE时钟要求多且复杂的，故此文章主要鉴于上一篇文章，给出主要的参数要求，其它详细的要求以及测试方法，后续有机会再编写分享。注意：如果硬件电路这个CLKREQ#没接的话，可让BIOS把PCIE中的ASPM的L1状态默认关闭，不然容易出现异常现象。频率：100±0.03MHz。

它的主要作用是生成低抖动输出时钟，频率的多份拷贝来驱动多个负载，可通过乘法或除法方式实现频率转换，提供具有单端和差分时钟输出。这是一个很严重的问题，因为时钟跟电源一样，是一个系统的根基，根基没做好，楼肯定盖不高、盖不好。时钟缓冲器（Buffer）本身是无法产生频率源的，它的主要作用是将晶体或晶振产生的时钟信号进行复制、格式转换及电平转换。总结：要想得到更好的时钟，就必须从使用场景的数据指标要求入手，选择适配这些指标的时钟方案即可。给到系统设备使用的时钟抖动主要受振荡器的抖动以及时钟buffer的抖动影响。

Vin-0.5V输出，16A电流，而且支持最高12相，也就是说电流可以扩展，而噪声低至4μVRMS (10Hz to 100kHz)，这个参数比我看到的LDO参数都要好。Silent Switcher稳压器可提供新的性能水平，同时具有高效率（高达96%）和低噪声性能，不会影响尺寸，也不需要过多的外部元件。这两天看到ADI有一款超低噪声稳压器（Silent Switcher®：高效率、低 EMI），感觉很不错，所以这里介绍下。另外了解可知：此系列产品已经成熟应用于：AD，DA，RF，Serdes。

绝缘厚度均匀、易裁线、易剥皮。今天来讲的是关于电子线的一个小知识，可能只做板子的工程师遇到此方面的问题会比较少，做整机的工程师则必然会遇到此方面问题，那就是线材问题。举例：AWG28，导体单股直径为0.32mm，那么其截面积为(0.32/2)X(0.32/2)XPI=0.0804mm²。注意：同一线号，UL1015与UL1007的导体截面积、线数、线径、阻值是一样的，不同的外皮的规格。UL标准又是个大标准，没必要一一去了解，我经常用到的有UL1007，UL1015电子线。S-----铜导线截面积（mm²）

总结：上面两种方法，一种是先确定了晶振的参数，然后对应去算匹配电容范围，简单方便。另外一种是根据平台推荐的匹配电容，去算晶振的参数，然后去选择对应的型号。B，某些IC有推荐Ce1与Ce2,那么需要去求晶振的Cload,然后再去找对应的物料。如果chip有要求C1=C2=22pF,而Cstray范围为3pF~7pF。A，知道晶振的负载电容Cload，需要计算Ce1与Ce2；其中，Ce1,Ce2为晶振外部的负载电容，也即是匹配电容。Cs为PCB板的走线、IC PAD的寄生电容的和。Cl则为我们需要的晶振参数。

注意事项，一般需要避免把LED的负极直接拉到GPIO口进行控制，而是经过一个三极管或者MOS管后在通过GPIO控制，为什么呢？采用稳压二极管，常用在电源输入或者输出端，对设备进行保护，防止过压对损坏电路。采用肖特基二极管的开关频率高，正向压降低，导通电流大的特点，可以实现防反接电路。这个看似简单的电路，其实使用过程中有很多注意事项，大家也可留言讨论。稳压二极管（齐纳二极管），发光二极管，TVS管，肖特基二极管等等。由于毕业后再没接触过此电路，就不做分析，模电的一个经典电路。D，防静电与防浪涌。

由锰 (Mn) 、镍 (Ni) 、钴 (Co) 等成分的氧化物烧制而成的陶瓷。阻值随温度上升而下降。工作温度范围宽：一般的都可用于-40℃ to 125℃。有的高达2000℃，低至-273℃。5、这里的Tt和T0指的是K度，即开尔文温度，K度=273.15（绝对温度）+摄氏度。如电池组，PCB板，CPU等的温度检测。1、Rt是热敏电阻在Tt温度下的阻值。2、R0是热敏电阻在T0温度下的阻值。6、R0和B值都存在公差。4、EXP是e的n次方。负温度系数热敏电阻。常用于温度检测电路。

前面文章线材-电子线载流能力简单的用UL1007电子线介绍的载流能力的计算，其中提到了安全载流量：指的是电线发出去的热量恰好等于电流通过电线产生的热量，电线的温度不再升高，这时的电流值就是该电线的安全载流量，又称安全电流；导线的安全载流量跟导线所处的环境温度密切相关。五：耐摩擦与耐腐蚀性不同。一：绝缘层厚度的不同。

注意：SMD比通孔组件更容易发生这种现象, 因为它们在回流焊时暴露在更高的温度中. 原因在于焊接作业一定要发生在与SMD组件同一面的板面上. 对于通孔组件, 焊接作业发生在板的下面, 从而将组件遮蔽隔离了热锡料. 采用插入焊或"pin浸锡" 制程的通孔组件可能也会遇到发生在SMT组件的现象 -由湿气诱发的不良.指达到需要烘焙处理状态的元器件，在焊接安装之前，按照规定的条件在烘烤箱中进行特定时间段的烘焙干燥。趁着周末得空，也有意愿，赶紧把之前一直想写的这个主题完成了。打开防潮包装后，超出规定的保管条件。

POD输出高时，接收端跟发送端两端电压是一样的，故而没有电流流动，只有当输出低的时候才会损耗能量，故可以做到减低开关电流，如若再使能DBI功能，可以更进一步节省开关电流，从而减低串扰，最终获得更好的眼图。下面是DDR4知识做一次分享，之所以选择介绍DDR4，是因为现在DDR5的应用还较少，而DDR4的使用普遍，当然后面还会考虑介绍DDR3，下文中就有一部分是DDR4跟DDR3的对比，我们先把DDR4的硬件相关知识给吃透了。POD 作为 DDR4 新的驱动标准，最大的区别在于接收端的终端电压等于VDDQ；

配置是按照每字节设置的（X8颗粒上有一个DBI_n脚，X16颗粒上有UDBI_n, LDBI_n两个脚）；通过以上的DBI介绍，其实DBI主要是对硬件有较大的优化，功耗跟信号完整性都有，不过主要还是信号完整性。所以，当我们在设计图纸的时候，主控支持的话，DBI应该是要接上，且要求软件使能的。与DM跟TDQS脚复用，当DM功能被使能时候，写操作的DBI不能被使能；更少的位会被拉低（算上DBI_n脚，最大被拉低的位位数为位数的一半）；因为更少的位在切换，会获得更低的噪声跟更好的数据眼图；

DQ从上面的信号列表可以看出是双向信号，按照规范，输出时候高电平可以是VDDQ/2.5或者是VDDQ/3，也就是1.1/2.5=0.44V或者是1.1/3=0.367V。• 新型1x nm级别的工艺技术，这种超薄先进封装，在提供超快速度的同时，能够加快多任务处理速度并优化用户体验：性能对比LPDDR4提高15%简单的来说就是DQ总线的片内终端匹配电阻，特别注意的是，这里的DQ是指DQ，DQS，DMI信号。总结：就目前各大厂商的产品来看，200ball x32的封装最常用，选型时候注意。

Ⅲ级降额：最小的降额，对元器件使用可靠性改善的相对效益最大，但可靠性改善的绝对 效果不如Ⅰ级和Ⅱ级降额。Ⅲ级降额在设计上最易实现。Ⅰ级降额：最大的降额，对元器件使用可靠性的改善最大。GJB/Z 35-1993元器件降额准则》中，降额程度由降额等级和降额因子的值来表征。特别注意的是：低质量产品要慎重使用，不能用降额补偿的方法来解决低质量元器件的使用问题。例如，某项目要求最低使用Ⅱ级降额，那么就不能使用Ⅲ级降额，但是可以采用Ⅰ级降额。注意：同样降额等级，不同元器件或者不同降额参数的降额因子是不一样的。

0805~2512的电阻允许过2A电流（1218允许过6A），但是0805理论计算出只能过1.58A电流，1218只能过4.47A电流。那是因为不同封装实际阻值管控不一样，电阻的额定功率还受温度的影响。从上面可知，0欧姆电阻的实际阻值管控在50毫姆以内，那么按照P=I2R可以计算出各个封装的载流能力。大家都知道，一般电阻的参数主要有：阻值，精度，额定功率，封装。0402~0603的电阻允许过1A电流。而电阻中有个其他的存在：0欧姆电阻。0201的电阻只允许过0.5A电流。这个0欧姆电阻的阻值就是0欧姆吗？

本文主要介绍电量计的应用，特性以及各种算法的对比

ESD:electronstatic discharge 静电放电现象：有限的大量的电荷在不同电位体之间快速转移的一种放电现象。产生原因：摩擦，接触，耦合感应等。特点：时间短（ns级），电压高（kv）,电流大（A）。测试规范与方法：IEC61000-4-2，ESD GUNEOS：electrical over stress 电性过应力现象：高压或者大电流导致芯片内部...

网络变压器01：分类：T1/E1隔离变压器；ISDN/ADSL接口变压器；VDSL高通/低通滤波器模块、接口变压器；T3/E3、SDH、64KBPS接口变压器；10/100BASE、1000BASE-TX网络滤波器；RJ45集成变压器；还可根据客户需要设置专用变压器。（蓝色部分是我们常用的）作用：主要有信号传输、阻抗匹配、波形修复、信号杂波抑制和高电压隔离等作用。把PHY送出来的差分信号用差模耦合...