记得诚

大家好，我是记得诚。这篇文章讲述充电芯片的DPPM功能，即，DPPM的全称是ynamicowerathanagement。有没有想过一个问题，手机没电了，关机了，这时候你一边充电，一边又想玩王者荣耀，即充电器一边给手机内部的电池充电，一边给你“充电”，因为你要玩王者荣耀，手机得处于开机状态，屏幕得是亮着的，你的ADC正在走A走A击打小兵，而每个手机充电器的功率是已知的，比如说30W，即adapter最多给你30W，那手机是如何分配30W的呢？以确保电池在正常充电，你玩王者荣耀不受影响呢？

干簧管是一个电子开关，也叫磁簧开关(Reed Switch)，是一个通过所施加的磁场操作的电开关。当没有外部磁场时，两个簧片由于间隔仅几个微米而不接触，干簧管处于断开状态。当外部磁场（如永久磁铁或电磁线圈）靠近时，磁场在簧片端点位置附近产生不同极性，使得簧片磁化。随着磁力的增加，当磁力超过簧片本身的弹力时，两个簧片会吸合导通电路。当外部磁场远离时，簧片逐渐退磁，由于簧片自身的弹力，触点分开，电路断开。下面这个动图很好展示了干簧管的工作原理。

诚哥，请教个问题，我现在测试系统功耗，发现48V、11V、3.3V电流完全一样，48V到11V搭的线性稳压电路，11V到3.3V用的LDO。于是将3.3V端断开，接电子负载，将电流设置为1mA，串联电流表测量48V处电流为1.1mA。所以说压差大的情况，尽量选择DC-DC，你11转3.3，用LDO，还有什么效率？11转3.3 LDO，负载1.1mA，输入电流大概也在1.1mA，消耗的功率P=(11-3.3)*1.1mA。LDO的输入和输出电流差不多的，剩下的，你说的能量守恒，变成热消耗了。

ESD：Electro-Static discharge，静电释放，是一种自然现象，冬天脱毛衣、摸金属门把手、握手等都会出现。下面这个图是著名的“怒发冲冠”，就是由静电引起的，电荷由静电球传到头发，同性电荷相互排斥，形成了这种现象。IEC 61000-4-2规定了两种系统级测试，接触放电和空气（非接触）放电。ESD器件符合IEC 61000-4-2标准，仅代表器件本身的防护，后级电路的防护水平要靠ESD器件的钳位电压来衡量。TVS二极管，是最常用的ESD防护器件，也叫瞬态抑制二极管。

TVS和稳压管都是电路中很常用的电子元器件，都是二极管的一个种类。TVS二极管全称是Transient voltage suppression diode，也叫瞬态电压抑制二极管。稳压二极管英文名字Zener diode，又叫齐纳二极管。稳压二极管原理、参数、动态电阻特性TVS参数、选型、使用注意事项。

大家好，我是记得诚。最近项目上肖特基二极管出问题了，概率性损坏，二极管本来是一个很简单的器件，这次重新整理一下，供大家参考。二极管损坏，个人总结有如下几种情况。

不知道什么时候Yageo 0603贴片电阻的耐压提高了，2~3年前我记得还是50V，和0402是一样的。当时还挺奇怪的，封装大了一些，参数都一样，这个参数不光是电压，额定电流和最大电流都是一样的，那0603封装存在的意义是什么呢？当然这不是重点，下面我简单整理了一下不同封装的电压和电流参数，供大家参考。大家好，我是记得诚。

如果外设多起来，接口繁杂，这个时候选型还是很考验功力的，涉及成本、功耗、内存、flash、采购难度、升级等等情况。存在多个变量的时候，尽量采用数据的方式，比较直观。如供电2.8V，通信接口是1.8V，给芯片VDDIO的电压，I2C根据外部的上拉源电压等等，这些先确定好。要根据规格书上的电路，先大致确定，如外设的电源需不需要控制，中断脚，唤醒脚，需不需要电平转换，电平转换需不需要加GPIO使能控制。如果一个系统里面有多个MCU，这个时候要先分配好，如温度挂1#MCU，蓝牙挂2#MCU，等等。......

大家好，我是记得诚。在电容选型时，你是否考虑过其直流偏压特性？1、DC偏压特性指的是：在电容上添加直流电压后，电容容量会变小，且电容变化率随着电压的增大而增大。下面这个图，16V的时候，容量已经下降80%了，意味着容量只剩20%。2、这里只考虑MLCC，钽电容和电解电容比较优质，不会有因直流偏置而引起容量变化的问题。3、即使在额定电压以下的电压范围，也有会DC偏压特性。4、直流偏压和电容介质有很大关系。I类陶瓷如C0G、NP0，容量稳定性好，基本不随电压、温度的变化而变化。下图是1个村田的C0G电容，就

大家好，我是记得诚。电子产品越来越智能，功能特别多，又要满足轻薄化，无源器件厂家不断发力了，推出的SMD封装越来越小，目前最小的封装是008004。长宽高尺寸为0.25×0.125×0.125mm。008004是英制(inch)单位，1inch=25.4mm。008004往上是01005封装，长宽尺寸是0.4*0.2mm，对应公制的0402封装。01005往上就是0201封装，长宽尺寸是0.6*0.3mm，对应公制的0603封装。附上英制和公制的对应表。01005封装的器件，在一些高端的手

大家好，我是记得诚。用过MOS管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。1、PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流，压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状态的。2、PMOS管D极接电源输入，S极接输出，D极首先通过PMOS管内部的体二极管到达S极，控制G极为0，Vsg大于阈值电压，MOS管导通，和上面一样，DS沟道压降很小，DS压差不足以使二极管导通，这时候MOS管的体二极管也是截

大家好，我是记得诚。相信很多硬件工程师，都遇到过因为芯片批次而导致的项目问题，比如不同批次芯片功耗差异大、耐压不同等。不同批次的芯片，虽然在工艺、设计、原料等方面相同，但可能因为晶圆厂、封装测试等不同，导致生产出来的芯片在质量和性能上是有差异的。芯片批号批号的英文是Lot Code，又叫Lot Number，是厂家为了追溯器件的生产日期、质量等级和产地等信息而设置的。在售后服务上，批号发挥了很大的作用。当有客户反馈批次质量问题时，原厂可以根据此批号追溯审查，确定同批次的流向，能及时的做出相应处理。

大家好，我是记得诚。在很多电路中都会串联小阻值的电阻，别小看它们，其实作用很大。1、SPI信号线SPI信号上串联电阻，一般是几十欧姆左右，一般有如下几个作用：1）阻抗匹配。因为信号源的阻抗很低，跟信号线之间阻抗不匹配，串上一个电阻后，可改善匹配情况，以减少反射。2）SPI的速率较高，串联一个电阻，与线上电容和负载电容构成RC电路，减少信号陡峭，避免过冲，过冲有时候会损坏芯片GPIO，当然对EMI也有好处，尤其是高速电路。3）调试方便，现在的芯片很多是BGA、QFN封装，串联一个电阻，调试时用示

大家好，我是记得诚。电阻选型时，除了常规的参数，以下几个参数也不可忽视。1、额定功率1/16W（上图右上角），被电阻阻挡的电流，都变成了热量。小小的一个电阻，热量如果不能及时散出去，就会过热、烧断。硬件设计的时候需要计算通过电阻的电流，功率=电流平方x电阻，不能让功率超标了。2、工作温度和高温功率限制Operating Temperature Range -55℃ to +155℃，工作温度-55到+115，但是在实际使用的时候，高温下有功率限制。在规格书的后面有一个功率和温度的曲线，+7

大家好，我是记得诚。我们都知道电容电压不能突变，电感电流不能突变，理论依据是什么呢？以RC一阶低通滤波器举例。Vin通过R1电阻对电容C1进行充电，Vin的电势加在电容C的两个金属极板上，正负电荷在电势差作用下分别向电容的两个极板聚集而形成电场，这是对电容的充电过程。衡量电容充电的电荷数是Q，Q=CV，C是常量，所以电荷数和电压呈正比。C=Q/V，电容量代表了电容储存电荷的能力，微分表达式为：C=dq(t)dv(t)(1)C=\frac{dq(t)}{dv(t)}\tag{1}C=dv(t)d

大家好，我是记得诚。在电路中，NMOS经常用作下管，S极接地，用G极来控制管子的导通截止，很方便。NMOS用作上管时，因为S极电平不确定，即G极电平也不好确定，很不方便。PMOS经常用作上管，S极接固定的VCC，用G极来控制管子的导通截止。用作下管时，因为S极电源不确定，无法确定G极电压来控制管子的导通截止。今天的问题并不是这个，而是说DC-DC上管为什么用NMOS的多，而不是PMOS。上管用NMOS，还要用到自举电容，麻烦还增加成本。关于自举电容，可以看这篇文章：DC-DC BUCK自举

大家好，我是记得诚。在一些电源和低速信号线上，电容也会用来抗ESD，电容能抗多大的ESD电压呢？ESD耐性和电容量有什么关系呢？TVS或者说ESD器件在制造过程中，可能会触发ESD事件，发生损坏，这些事件可以用三个模型来进行模拟。Human Body Model，简称HBM，人体模型，模拟人体静电放电时的测试。Machine Model，简称MM，机械模型，模拟机械静电放电时的测试。Charged Device Model，简称CDM，充电设备模型，模拟带电设备静电放电时的测试。图片来自

大家好，我是记得诚！前一段时间写了一本书，现在直接开源给大家：点击下载PADS软件使用教程作为硬件工程师，相信大家都用过TVS二极管，但选择一个合适的，可能并没有那么简单。之前写过一篇基础文章《TVS参数、选型、使用注意事项》下面列出了选择合适TVS的几大步骤：1、Vrwm大于等于被保护信号的正常工作电压，Vrwm比被保护信号的工作电压越大，漏电流越小；TVS的Vrwm越低，对应的钳位电压Vc越低，对信号的保护作用越好。2、判断被保护信号是交流还是直流，一般情况下，交流信号选择双向TVS，直流信

文章目录1. 什么是自举电容2. 自举电容的原理3. 自举电容的额定电压如何选择4. 什么是自举电阻1. 什么是自举电容DCDC BUCK芯片有一个管脚叫BOOT，有的叫BST，如下是一个DCDC芯片对BOOT管脚的解释，在外部电路设计时，BOOT和SW管脚之间，需要加一个电容，一般是0.1uF，连接到DCDC高端MOS管的驱动端，这个电容就叫作自举电容。2. 自举电容的原理如下是DCDC BUCK芯片的框图，上面的NMOS称为high-side MOSFET，下面的NMOS称为low-side

​抽时间汇总了一些常见电子元器件常用品牌，大家在元器件选型时可以参考。电阻：Yageo国巨、Uniohm厚声、Walsin华新科、Fenghua风华、Ralec旺诠、KOA兴亚、Panasonic松下、AVX、Rohm罗姆、Samsung三星、TDK、TMTEC泰铭、Kyocera京瓷、PHYCOM飞元。电容：Yageo国巨、Samsung三星、Eyang宇阳、Murata村田、Taiyo太诱、Fenghua风华、Kyocera京瓷、HEC禾伸堂、Kemet基美、ISND华信安、AVX、TDK、Nich

电感经常用在CLC π型滤波、LC振荡、DC-DC续流等电路中，本文简单介绍电感的选型。以Sunlord的电感SPEC为例，电感主要有五大参数。L：感值，一般误差有10%或者20%，测试条件是1MHz频率。DCR：DC Resistance，直流电阻。DCR可以理解为寄生参数，和电感的封装大小以及感值有很大关系，选型时最好选择较小DCR的电感。一般情况下：电感感值相同，尺寸越小，DCR越大。电感尺寸相同，感值越大，DCR越大。电感感值相同，有磁屏蔽的电感，DCR小于没有磁屏蔽的电感。

文章目录1.请简单说一下你对磁珠的认识？2.磁珠和电感的相同点和不同点？3.磁珠的主要参数有哪些？并做解释4.磁珠的直流重叠特性是什么？5.如何理解磁珠的等效模型6.磁珠选型注意事项本文以自问自答的形式，科普磁珠的一些基本知识和选型要点。1.请简单说一下你对磁珠的认识？磁珠是一种电感型EMI静噪滤波器，实物和电感很像，现在用的最多的是铁氧体磁珠（Ferrite Bead）。片状铁氧体磁珠磁珠的单位是欧姆，根据型号的不同，可以抑制几MHz～几GHz的噪声，经常被用在信号线和电源线上（串联使用）

今天的文章内容很简单，也很简短，但却很实用。以NMOS举例，只用万用表二极管档测量MOS管的好坏。NMOS的D极和S极之间有一个寄生二极管，方向为S到D，利用二极管单向导电性以及MOS管导通时寄生二极管截止的特性，可以快速测量MOS好坏。PMOS管WMS14P03T1中的Vsd参数1、测量之前将MOS的3个极短接，可以用一根铁丝，泄放MOS管内部电荷，确认MOS管是关闭状态。短接释放电荷确保MOS截止2、将万用表调至二极管档，将红表笔接在MOS的S极，黑表笔接在D极，这时寄生二极管

文章目录1.发热和损耗2.热阻和温升3.结温计算误区4.热设计硬件的小伙伴应该都有“烧设备”的经历，芯片摸上去温温的，有的甚至烫手。有些芯片在正常工作时，功耗很大，温度也很高，需要涂散热材料。本文主要讨论芯片的散热/发热、热阻、温升、热设计等概念。开盖后的酷睿i9-9900K上的硅脂散热材料1.发热和损耗芯片的功率损耗，一方面指的是有效输入功率和输出功率的差值，称之为耗散功率，这部分损耗会转化成热量释放，发热并不是一个好东西，会降低部件和设备的可靠性，严重会损坏芯片。耗散功率，英文为Po

文章目录1.场效应管分类2.N和P区分3.寄生二极管4.导通条件5.基本开关电路6.与三极管的区别7.G和S极串联电阻的作用8.G极串联电阻的作用9.MOS管的米勒效应10.选型要点今天的文章简单总结一下MOS管，如下是本文目录。1.场效应管分类场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。MOSFET英文全称是Metal-Oxide-

MOS管选型，赶紧看过来

文章目录简介命名规则串并联计算公式平板电容器公式标准及常用容值电容分类陶瓷电容钽电容电容充电和放电电容的作用实际等效模型电容参数及选型常见的电容品牌简介一个高档的智能手机里约有800~1000个片式多层陶瓷电容器，一般电路中用的最多的也是电容，可见电容的作用有多大，本文主要介绍电容的一些基本知识点。两个相互靠近的导体，中间夹一层不导电的绝缘介质，这就构成了电容器。电容器有两个很重要的特性，隔直通交以及电压不能突变，所以经常被用在滤波电路、自举电路、调谐等电路中。电容的基本单位是F（法拉），常见的单位

文章目录容抗的概念感抗的概念理想电阻电阻实际等效模型理想电容器电容实际等效模型理想电感电感实际等效模型总结信号完整性在高速电路中有着至关重要的作用，而很多信号完整性问题需要用「阻抗」的概念来解释和描述。在高频信号下，很多器件失去了原有的特性，如我们经常听到的“高频时电阻不再是电阻，电容不再是电容”，这是咋回事呢？那就看今天的文章吧！容抗的概念电容有两个重要特性，一个是隔直通交，另一个是电容电压不能突变，先来看一下百度百科对容抗的解释。简单说，虽然交流电能通过电容，但是不同频率的交流电和不同容值的

如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？MOS管Vgs小平台带着这个疑问，我们尝试将电阻R1由5K改为1K，再次仿真，发现这个平台变得很小，几乎没有了，这又是为什么呢？MOS管Vgs小平台有改善为了理解这种现象，需要理论知识的支撑。

NTC热敏电阻是一个很简单的温度传感器，在消费类电子产品中非常常见。NTC又被称为负温度系数热敏电阻，是一类电阻值随温度增大而减小的一种传感器电阻。NTC阻值和温度对应关系负温度系数热敏电阻与之对应的还有正温度系数热敏电阻，称为PTC，即阻值会随温度升高而增大。PTC一般串联在电路中使用，用来限制电路电流，是一种过流保护器件。电流通过元件后引起温度升高，PTC的阻值会增加，阻值增加从而限制了电流的增加，周而复始，PTC充当的是开关的作用。高分子PTC热敏电阻一般被称为自恢复保险丝。负温度

我在课本上并没有接触过电容的去耦半径概念。我们都知道小电容滤高频，大电容滤低频，为了更好的滤波效果，一般输入电源或者输出电源都是采用一个大容值电容加一个小容值电容进行滤波，比如1uF+0.1uF；我们先来了解一下去耦和旁路的区别。旁路电容，也叫bypass，是把输入信号中的高频成分作为滤除对象。去耦电容，也叫decoupling，也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。可以看到，旁路电容和去耦电容的作用都是滤波，只是在电路上的位置不同而已。旁路一般位于信号输入端，去耦一般位于信号输出

不学习一下？

锂离子电池广泛用于手机、笔记本等产品。文章目录1. 锂离子电池介绍2. 1C和0.1C的概念3. 锂离子电池的优缺点4. 锂电池和锂离子电池的区别5. 锂离子电池充电模式6. 为什么锂离子电池充电截止电压是4.2V7. 锂离子电池放电曲线8. 锂离子电池循环次数9. 锂离子电池工作电压范围参考内容1. 锂离子电池介绍锂离子电池是一种二次电池（充电电池），它主要依靠锂离子在正极和负极之间移动来工作。在充放电过程中，Li+在两个电极之间往返嵌入和脱嵌，充电时，Li+从正极脱嵌，经过电解质嵌入负极，负极.

汇总一些SIM卡的相关知识点，点点滴滴，皆是学问。文章目录1.SIM卡概念2.SIM卡结构3.SIM卡尺寸4.SIM卡关键数据5.SIM卡入网鉴权6.SIM卡电路7.SIM卡插入检测原理8.SIM卡热插拔9.SIM卡电路layout指导10.SIM卡的掉卡问题参考资料1.SIM卡概念SIM 是 Subscriber Identity Module 的简称，称为用户识别卡，实际上是一张内含大规模集成电路的卡片，用来存储用户的重要数据和信息。2.SIM卡结构SIM 卡主要由微处理器 CPU，程序存.

文章目录0. 概述1. 命名2. 尺寸3. 电压4. 参数5. 标注6. 分类7. 上拉下拉8. 高频特性9. 0欧姆电阻10. 使用注意11. 生产厂家12. 小结一下0. 概述贴片电阻是相对于传统的色环电阻来说的，贴片电阻体积小巧，占用更少的PCB面积，现在几乎所有的电子产品内部用的电阻都是贴片电阻，这篇博客讲述贴片电阻的相关知识点，对自己也是一个总结吧。导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻；电阻Resistance用R表示，单位是欧姆；导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。贴片电阻相对

文章目录1 LDO是什么2 LDO典型电路3 DC-DC是什么4 DC-DC典型电路5 LDO和DC-DC区别10.2.6 小结一下大家好，我是记得诚。DC-DC和LDO都是电源芯片，两者差异很大，用法也不同，这篇博客讲述LDO和DC-DC的一些差异，帮助更好的认识LDO和DC-DC并进行选型。1 LDO是什么LDO是low dropout regulator的简称，即低压差线性稳压器，这是相对于传统的线性稳压器来说的，传统的稳压器，输入比输出要高出很多，否则无法工作，LDO可能输入比输出高1~2V

二极管大家都很熟悉，模电书第一章介绍的就是二极管，在实际电路中，二极管普遍使用，可以说每个电子产品中都会有二极管的影子，如静电保护用的TVS，电源DC-DC上用的续流二极管，稳压管，发光LED二极管等，种类非常多。本文将介绍TVS二极管、整流二极管、稳压二极管、肖特基二极管、快回复二极管、续流二极管、发光LED二极管及变容二极管。文章目录0. 二极管识图1. TVS二极管2. 整流二极管3. 稳压二极管4. 肖特基二极管5. 快回复二极管6. 续流二极管7. 发光二极管8. 变容二极管9. 小结一下.

DC-DC BOOST空载输入电流如何计算？

你手机没电了，一边充电，一边玩王者荣耀，那你知道如何能上王者呢？这边博客教你三个绝招。

大家好，我是记得诚。今天聊一聊压敏电阻。压敏电阻并不是普通的电阻，而是一种具有瞬态电压抑制功能的元件，效果同TVS。这篇博客介绍压敏电阻的一些基本知识，包括参数、选型、应用等。文章目录1. 命名2. 工作原理3. 参数解读4. 选型要点5. 应用6. 分类1. 命名压敏电阻用MY表示，MY后缀J（家用）、W（稳压）、G（过压）、P（高频）、L（防雷）、H（灭弧）、Z（消噪）等，这是一般通用命名方式，不同厂家的命名不太一样。2. 工作原理压敏电阻是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，英文名称叫V