内存和FLASH的区别总结

本文详细解释了RAM(随机存取存储器)与ROM(只读存储器)的区别,包括它们的特点、用途及分类。同时也介绍了FLASH存储器及其两种主要类型NOR Flash与NAND Flash的应用场景。

内存(RAM或ROM)和FLASH存储的真正区别总结2009-11-24 19:063.ROM和RAM指的都是半导体存储器
1)ROM是Read Only Memory的缩写
    是一种半导体内存,其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中,资料并且不会因为电源关闭而消失。
    只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。英文简称ROM。ROM所存数据,一般是装入整机前事先写好的,整机工作过程中只能读出,而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定 ,断电后所存数据也不会改变;其结构较简单,读出较方便,因而常用于存储各种固定程序和数据。除少数品种的只读存储器(如字符发生器)可以通用之外,不同用户所需只读存储器的内容不同。
    为便于使 用和大批 量 生产 ,进一步发展了可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程序只读存储器(EPROM)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)。EPROM需用紫外光长时间照射才能擦除,使用很不方便。20世纪 80 年代制出的 EEPROM ,克服了EPROM的不足,但集成度不高 ,价格较贵。于是又开发出一种新型的存储单元结构同 EPROM 相似的快闪存储器 。其集成度高、功耗低 、体积小 ,又能在线快速擦除 ,因而获得飞速发展,并有可能取代现行的硬盘和软盘而成为主要的大容量存储媒体。大部分只读存储器用金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管制成。

2)RAM是Random Access Memory的缩写。
又称为随机存取存储器;存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。

简单地说,在计算机中,RAM 、ROM都是数据存储器。RAM 是随机存取存储器,它的特点是易挥发性,即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器(一次写入,反复读取),它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写两种类型。
  
    ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。

4.RAM分为两大类:
1)一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。

2)另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

5.再不明白的请看例子:
举个例子,手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。
FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的'闪盘',可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

<think> 首先,用户的问题是:“我想了解flasherroprm的区别 请问flasherroprm的区别”。但用户在问题中写的是“erroprm”,这看起来像是打字错误。结合上下文之前的引用,用户可能指的是“EEPROM”,因为引用[1]中提到“带电可擦除可编程(EEPROM)”,所以“erroprm”应该是“EEPROM”的打字错误。 用户的问题实际是:了解FlashEEPROM的区别。 现在,回顾系统级指令: - 所有行内数学表达式用$...$格式。 - 独立公式用$$...$$并单独成段。 - LaTeX语法正确。 - 使用中文回答。 - 生成相关问题。 - 回答中引用的段落末尾添加引用标识,如[^1]。 用户可见层: - 回答结构清晰,帮助用户逐步解决问题。 - 保证回答真实可靠。 - 参考站内引用:用户提供了三个引用。 引用内容: - 引用[1]:提到Flash具有EEPROM功能的特点,NOR Flash vs NAND Flash。 - 引用[2]:解释NOR FlashNAND Flash区别,包括特点如芯片内执行、速度等。 - 引用[3]:详细比较NOR FlashNAND Flash的特性、应用场景,包括EEPROM的提及。 用户的问题是关于FlashEEPROM的区别,但引用主要集中在NOR vs NAND Flash。引用[1]提到Flash具备EEPROM的功能,引用[3]也提及NOR Flash的应用包括参数存储等类似EEPROM。 关键点是解答FlashEEPROM的区别。 背景知识: - EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory):是一种非易失性存储器,可以通过电子方式擦除重新编程。每个字节可以独立擦写。 - Flash Memory:是EEPROM的一种形式,但擦除方式不同。Flash通常按块(block)或扇区(sector)擦除,而不是字节级。这使得Flash在批量擦写时更高效,但随机擦写不如EEPROM灵活。 - Flash分为NOR FlashNAND Flash: - NOR Flash:支持随机访问,适合存储代码(可直接执行)。 - NAND Flash:高密度,适合大容量存储如SSD。 区别总结: 1. **擦除粒度**: - EEPROM:可以擦除单个字节或字。 - Flash:必须擦除整个块(sector),大小从几百字节到几KB。 2. **速度效率**: - EEPROM:擦写单个字节慢,但适合小规模更新。 - Flash:擦写一个块更快,但擦写整个块即使只修改一小部分。 3. **密度成本**: - Flash:密度更高,成本更低,适合大容量存储。 - EEPROM:密度较低,成本较高,适合小规模存储。 4. **应用**: - EEPROM:用于配置数据、小参数存储(如BIOS设置)。 - Flash:用于固件存储、大容量数据(如USB驱动器、SSD)。 从引用中: - 引用[1]:Flash有EEPROM的功能,但暗示它们是相关的。 - 引用[2]:区分NORNAND,但没有直接比较EEPROM。 - 引用[3]:提到NOR Flash用于代码存储参数存储,类似于EEPROM。 我的回答需要: - 结构化清晰:逐步解释区别。 - 使用中文。 - 添加引用标识到引用段落末尾。 - 生成相关问题。 - 确保真实可靠。 回答结构: 1. **介绍**:澄清问题,确认“erroprm”是“EEPROM”的打字错误。 2. **解释EEPROM**:基于引用知识。 3. **解释Flash**:区分NORNAND。 4. **比较区别**: - 擦除方式 - 速度性能 - 容量成本 - 应用场景 5. **总结**:简要对比。 6. **相关问题**:生成2-3个相关问题。 引用标识: - 当引用具体段落时,添加[^1], [^2], [^3]。例如,如果提到Flash有EEPROM功能,引用[^1];提到NOR/NAND区别,引用[^2]或[^3]。 生成相关问题: - 例如: 1. EEPROM在嵌入式系统中的具体应用是什么? 2. NOR FlashNAND Flash的主要区别是什么? 3. Flash存储器如何实现擦除编程? 确保LaTeX正确:用户问题中没有数学表达式,但如果有公式,需要用$...$或$$...$$。这里可能不需要。 最终回答: - 用中文。 - 清晰段落。 </think> ### Flash与EEPROM的区别 用户的问题中,“erroprm”似乎是“EEPROM”的打字错误(基于引用[1]中提到的“带电可擦除可编程(EEPROM)”)。我将基于站内引用可靠知识,一步步解释Flash存储器EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)的区别。两者都是非易失性存储器(数据断电不丢失),但设计原理、性能应用场景有所不同。 #### 1. **基本概念** - **EEPROM**:是一种可以通过电子信号直接擦除重新编程的存储器。它支持**字节级擦写**,即可以独立修改单个字节或字,而不影响其他部分。这使得EEPROM非常适合存储频繁更新的小数据,如配置参数或校准值[^1]。例如,在微控制器中,EEPROM常用于保存用户设置或运行日志。 - **Flash**:是EEPROM的一种衍生物,但擦除方式不同。Flash必须按**块或扇区(block/sector)擦除**,通常擦除单元大小为512字节到128KB不等。这提高了批量擦写的效率,但牺牲了字节级灵活性。Flash分为两类: - **NOR Flash**:支持随机访问(类似RAM),可直接执行代码(XIP),适合存储固件或启动程序[^2][^3]。 - **NAND Flash**:顺序访问为主,密度高、成本低,适合大容量数据存储如SSD或SD卡[^2][^3]。Flash继承了EEPROM的“带电可擦除”特性,但优化了高密度存储[^1]。 #### 2. **关键区别对比** 下表基于擦除方式、速度、容量应用等维度总结核心差异(数据综合自引用[1][2][3]): | 特性 | EEPROM | Flash | |------|--------|-------| | **擦除粒度** | 字节或字级(可独立修改单个单元) | 块或扇区级(必须整块擦除,即使只修改一小部分) | | **擦写速度** | 单个写入较慢(约1-10ms/字节),擦除快但受限于字节级操作 | 块擦除快(NOR约0.1-1ms/块,NAND更快),但随机写入慢;NOR读取快(<100ns),NAND读取顺序快但随机慢[^2][^3] | | **容量成本** | 容量小(通常KB级),成本较高(因复杂电路) | 容量大(NOR可达数百MB,NAND可达TB级),成本低(尤其NAND,单元密度高)[^2][^3] | | **寿命(擦写次数)** | 高(>100,000次),适合频繁更新 | 较低(NOR >100,000次,NAND约10,000-100,000次),需均衡磨损管理[^3] | | **功耗** | 相对较高(因精细擦写控制) | 较低(尤其NAND,优化了大批量操作)[^3] | | **应用场景** | 小数据频繁更新:系统配置、校准数据、密码存储(如MCU的EEPROM模块) | NOR:固件存储、Bootloader(支持XIP);NAND:大文件存储(如SSD、手机内存)[^1][^3] | #### 3. **为什么有这些区别?** - **技术原理**:EEPROM使用浮栅晶体管,但每个单元有独立控制电路,实现字节级访问。Flash简化了电路,多个单元共享擦除电路,以提高密度并降低成本,但这导致必须整块擦除[^1][^2]。 - **性能权衡**:EEPROM适合高精度控制,但容量受限;Flash牺牲灵活性换取速度规模效率。例如,在嵌入式系统中,EEPROM存储易变参数,而Flash存储整个程序代码[^3]。 - **进化关系**:Flash是从EEPROM发展而来,旨在解决EEPROM在大容量应用中的效率问题。引用[1]明确指出Flash“具备带电可擦除可编程(EEPROM)的功能”,但优化了存储结构[^1]。 #### 4. **典型应用示例** - **EEPROM**:汽车电子中的里程表数据(频繁更新但小规模);智能卡的个人信息存储。 - **Flash**: - NOR Flash:路由器固件(直接从Flash运行代码)[^3]。 - NAND Flash:智能手机存储照片或视频(高密度、低成本)[^2][^3]。 #### 总结 EEPROMFlash的核心区别在于**擦除粒度**(字节级 vs. 块级)由此衍生的性能差异:EEPROM更灵活但容量小、成本高,适合小数据更新;Flash更高效于大容量场景,但需块操作管理。Flash(尤其是NOR类型)在某些应用中可以替代EEPROM,但EEPROM在频繁字节级修改场景仍是首选[^1][^3]。选择时需根据数据大小、更新频率成本权衡。
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