Agitek99的博客

忆阻器的导电态可以用来表示突触权重的变化，通过改变刺激脉冲电压的形状、频率、持续时间等参数来模拟不同突触功能相应的神经刺激信号的特点，测量瞬态电流可以了解阻变动力学过程，获得神经形态特性的调控方法。忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器（RRAM）。在忆阻器研究不断取得新成果的同时，基于忆阻器的多功能耦合器件也成为研究人员关注的热点。

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高精度： 最高 DC 电流精度 : 10pA、 系统噪声电流精度 : <10-27A2 /Hz。用于28/14/10/7/5/3nm等各工艺节点的先进工艺研发和高端集成电路设计。晶圆级噪声测试精度和高测试带宽，最低测试噪声的电流精度低至10-27A2/Hz。系统参数： 电压放大器：0.03-10MHz, 0.65nV/Hz(@5kHz)宽带电流放大器：0.03-10MHz, 5pA/ √Hz (@5KHz)测试速度：典型 1/f 噪声测试速度可达 10 秒 /bias。半导体器件SPICE模型库开发。