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 一.操作注意点：坏块一旦确定，就不允许在对其进行擦除或写操作     坏块一般由系统文件或软件管理程序在spare去进行标记二.坏块管理的基本作用：标记nandflash中的所有坏块并建立坏块表，避免对坏块进行操作，在对nandflash进行操作时如遇到坏块则将其标记，跳过并找一好块替代该坏块，同时更新逻辑地址与物理地址的映射关系和坏块表，使得nandflash对上层文件（系统）仍是连续的。三....

第一节概论nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。相对于norflash，它具有一些优势，但它的一个劣势是很容易产生坏块，因此在使用nandflash时，往往要利用校验算法发现坏块并标注出来，以便以后不再使用该坏块。nandflash没有地址或数据总线，如果是8位nandflash，那么它只有8个IO口，这8个IO口用于传输命令、地址和数据。nandflash主要以pag

ECC的全称是Error Checking and Correction，是一种用于Nand的差错检测和修正算法。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出错。ECC能纠正1个比特错误和检测2个比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠

     基于多通道主控的多CE NAND Flash动态块模型建设，旨在更高效的进行坏块管理，从而提高坏块管理性能，为SSD的更高效的性能做保障。图1：没有坏块的模型     如图1所示，在没有坏块的情况下，多通道下的多CE的PB0（physical Block）共同组成LBT0, 多通道下的多CE的PB1共同组成LBT1,以此类推，多通道下的多CE的PBn共同组成LBTn。而这里的块模型我们称...

       支持多通道主控并发的多CE NAND Flash页模型的建设，旨在依据NAND Flash的特性更高效的处理多通道并发，从而提高存储设备的吞吐速率，为SSD等的更高效的性能做保障。      多通道并发，我们知道NAND Flash的擦除、编程、读操作都不是瞬间就完成了，都需要一定的时间，而在正常的流程中我们是浪费掉了这段时间，该设计利用多通道的主控就能利用这段时间。具体的流程是在通...