Javascript字符串对象的常用方法简明版

本文通过实例详细介绍了JavaScript中字符串对象的各种常用方法,包括文本格式化、大小写转换、字符定位及替换等功能,并展示了如何使用这些方法进行字符串操作。

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这篇文章主要介绍了Javascript字符串对象的常用方法简明版,本文用一个代码例子列表了Javascript字符串对象的一些常用方法,例如加粗、斜体、删除线、上标、下标、大小写、查找字符、替换字符等,需要的朋友可以参考下效果可以看下具体51搜索展示http://www.51bt.cc,结合Xunsearch全文检索技术,可以达到毫秒级的数据搜索

var a = "abcDEfGgdefg32asdf38";

document.write("原始:"+a+"<br />")
document.write("粗体:"+a.bold()+"<br />");
document.write("大号:"+a.big()+"<br />");
document.write("斜体:"+a.italics()+"<br />");
document.write("删除线:"+a.strike()+"<br />");
document.write("字体大小:"+a.fontsize(10)+"<br />");
document.write("字体颜色:"+a.fontcolor("#ff0000")+"<br />");
document.write("上标:"+a.sup()+"<br />");
document.write("下标:"+a.sub()+"<br />");
document.write("大写:"+a.toUpperCase()+"<br />");
document.write("大写:"+a.toLowerCase()+"<br />");
document.write("返回索引字符:"+a.charAt(3)+"<br />");//这里应该是"D"
document.write("返回索引:"+a.indexOf("f")+"<br />");//这里应该是5
document.write("返回索引(逆向查找):"+a.lastIndexOf("f")+"<br />");//这里应该是9
document.write("查找字符串:"+a.search("f")+"<br />");//这里应该是5,与indexOf相同
document.write("替换字符串:"+a.replace("a","A")+"<br />");//把字符串中的a替换成A
document.write("返回子串:"+a.slice(1,3)+"<br />");//应该是bc,返回从索引1到3-1的子串
document.write("分割字符串:"+a.split("D").toString()+"<br />");//把D作为分割符,分割字符串,返回数组
document.write("返回子串:"+a.substr(1,2)+"<br />");//返回子串,从索引1开始,长度为2,这里就是bc
document.write("返回子串:"+a.substring(1,3)+"<br />");//与sclice()相同,返回索引1到3-1的子串
document.write("匹配:"+a.match(/\d+/)+"<br />");//正则匹配,返回匹配的结果,这里是32
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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