STM32F429 如何使用NAND Flash

本文介绍了STM32F429微控制器如何使用NAND Flash,包括NAND Flash的基本原理,如其随机存取特性、读写速度以及在存储领域的应用。文章详细阐述了NAND Flash的结构,以HY27UF081G2A芯片为例,解释了其总线宽度、内存大小和块页组织。同时,内容涵盖了文件系统的移植、坏块管理和实际操作使用的方法,为读者提供了一套完整的STM32与NAND Flash配合使用的指南。

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(1)原理介绍:
http://www.51hei.com/stm32/3609.html

Flash即是存储芯片的一种,其结合了ROM和RAM的特点,既具备电可擦除编程的性能,又可以快速读取数据,数据不会因断电丢失。目前市面上Flash主要有NOR Flash和NAND Flash。

NOR Flash具有随机存取和随字节执行写操作的能力,即可以访问到存储器内部的任意一个字节,且具有读取速度快等特点,它占据1MB—16MB闪存的大部分市场,根据其读取数据速度快的特点主要应用在代码存储

NAND Flash以“页”为单位进行对数据的读写操作,且具有写入和擦除速度快等特点,它应用在8MB—256MB的产品中,根据其特点主要应用在数据存储上。

HY27UF081G2A的NAND Flash芯片为例,其总线宽度为8bit,总内存大小为1Gbit(即128MB),共分为1024块(Block),每块又分为64页(Page),每页共2KB(main memory)+64B(spare memory),main memory用来存放数据,spare memory用来标记已坏的块区和保存对main memory的ECC校验码等(正常情况下不用)。

(2)文件系统
https://blog.youkuaiyun.com/zj06022222/article/details/80203763
文件系统的移植
(3)坏块管理

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