Nandflash和Norflash区别

Nandflash和No人flash最大区别：
（1）容量的大小：Norflash容量小，约有64K~2M，Nandflash，约128M~256G。
（2）因此Norflash一个地址对应一个空间，可直接访问，Nandflash无法直接访问
（3）Nandflash容易有坏块，需要通过软件格式化
（4）价格上Norflash>Nandflash


Intel总结：
擦除和编程的区别：
Flash编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写成1.所以在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0xFF.因此可以说，编程是将相应位写0的过程，而擦除是将相应位写1的过程，两者的执行过程完全相反


（1）闪存芯片读写的基本单位不同
       应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块，有时块内还分扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NandFlash芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页大小一般是512字节.要修改NandFlash芯片中一个字节，必须重写整个数据块.
（2）NorFlash闪存的可靠性要高于NandFlash闪存，是因为NorFlash型闪存的接口简单，数据操作少，位交换操作少&#