切割液性能 - 切削区多物理场耦合对晶圆 TTV 均匀性的影响及调控

摘要:本文针对晶圆切割过程,研究切割液性能与切削区多物理场耦合作用对晶圆 TTV 均匀性的影响机制,并探索相应调控策略。通过分析切割液性能在热、力、流等物理场中的作用及场间耦合效应,揭示其影响 TTV 均匀性的内在规律,为优化晶圆切割工艺提供理论依据与技术指导。

一、引言

在半导体晶圆制造中,TTV 均匀性是决定芯片制造良率与性能的关键指标。切割过程中,切割液性能与切削区热场、力场、流场等多物理场相互作用、耦合,共同影响切割过程稳定性与晶圆质量。深入研究切割液性能 - 切削区多物理场耦合对晶圆 TTV 均匀性的影响及调控方法,对提升晶圆切割工艺水平具有重要意义。

二、切割液性能与切削区多物理场的耦合关系

(一)切割液与热场的耦合

切割液的冷却性能直接影响切削区热场分布。高效的冷却性能可快速带走切割热,降低晶圆与刀具温度,减少热变形。反之,冷却不足会使热量积聚,导致晶圆局部膨胀,影响 TTV 均匀性。同时,切削区温度变化也会改变切割液的物理化学性质,如黏度、导热系数,进一步影响其冷却效果,形成耦合反馈。

(二)切割液与力场的耦合

切割液的润滑性能对切削力场有显著影响。良好的润滑能降低刀具与晶圆间的摩擦系数,减小切削力,稳定切割过程。切削力的变化又会影响切割液在切削区的流动与分布,例如较大的切削力可能导致切割液膜破裂,削弱润滑效果,两者相互影响,形成耦合作用。

(三)切割液与流场的耦合

切割液的排屑性能与切削区流场紧密相关。合适的切割液流速与流变特性有助于切屑排出,维持流场稳定。流场的变化,如涡流、湍流的产生,会影响切割液对切屑的携带能力和在切削区的均匀分布,进而影响排屑效果与切割过程稳定性,体现出切割液与流场的耦合特性。

三、多物理场耦合对晶圆 TTV 均匀性的影响

(一)热 - 力耦合的影响

切削区热 - 力耦合作用下,晶圆受热膨胀与切削力共同作用,导致局部变形不一致。热膨胀使晶圆材料软化,切削力更容易造成材料去除不均匀,从而增大 TTV 值,降低晶圆厚度均匀性。

(二)热 - 流耦合的影响

热 - 流耦合中,切削区高温改变切割液的流动特性,如黏度降低使切割液流动性增强,但可能导致其在切削区的停留时间缩短,冷却效果下降。不稳定的热 - 流耦合会使晶圆表面温度分布不均,引发热应力差异,影响 TTV 均匀性。

(三)力 - 流耦合的影响

力 - 流耦合时,切削力的波动会破坏切割液流场的稳定性,影响切割液的润滑和排屑效果。切割液流场不稳定又会导致切削力变化,形成恶性循环,造成刀具振动和晶圆表面损伤,进而影响晶圆 TTV 均匀性。

四、基于多物理场耦合的调控策略

(一)切割液性能优化

根据切削区多物理场特性,优化切割液配方与性能。如添加特殊添加剂提高切割液的高温稳定性和润滑性能,改善流变特性以增强排屑能力,从而提升切割液在多物理场耦合环境下的适应性。

(二)工艺参数调控

调整切割速度、进给量、切割液流量等工艺参数,优化多物理场分布。例如,合理降低切割速度可减少切削热产生;增加切割液流量能强化冷却与排屑效果,削弱多物理场耦合对 TTV 均匀性的不利影响 。

(三)多物理场协同控制

利用传感器实时监测切削区热、力、流等物理场参数,结合仿真模型预测多物理场耦合趋势。通过智能控制系统,根据监测与预测结果,动态调整切割工艺和切割液供给,实现多物理场协同控制,保障晶圆 TTV 均匀性。

高通量晶圆测厚系统运用第三代扫频OCT技术,精准攻克晶圆/晶片厚度TTV重复精度不稳定难题,重复精度达3nm以下。针对行业厚度测量结果不一致的痛点,经不同时段测量验证,保障再现精度可靠。​

我们的数据和WAFERSIGHT2的数据测量对比,进一步验证了真值的再现性:

(以上为新启航实测样品数据结果)

该系统基于第三代可调谐扫频激光技术,相较传统双探头对射扫描,可一次完成所有平面度及厚度参数测量。其创新扫描原理极大提升材料兼容性,从轻掺到重掺P型硅,到碳化硅、蓝宝石、玻璃等多种晶圆材料均适用:​

对重掺型硅,可精准探测强吸收晶圆前后表面;​

点扫描第三代扫频激光技术,有效抵御光谱串扰,胜任粗糙晶圆表面测量;​

通过偏振效应补偿,增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比;

(以上为新启航实测样品数据结果)

支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量,覆盖μm级到数百μm级厚度范围,还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜。

(以上为新启航实测样品数据结果)

此外,可调谐扫频激光具备出色的“温漂”处理能力,在极端环境中抗干扰性强,显著提升重复测量稳定性。

(以上为新启航实测样品数据结果)

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