计算机组成原理细微导图:3.3半导体随机存储器
导图

SRAM和DRAM
SRAM工作原理
- SRAM的存储元是用双稳态触发器(六晶体管MOS)来记忆信息的,因此信息被读取后,仍保持原状态而不需要再生(非破坏性读出)
DRAM工作原理
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DRAME的是利用存储元电路中电容上的电荷来存储信息的,DRAM的基本存储单元通常只使用一个晶体管,所以它比SRAM的密度高。
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DRAM采用地址复用技术,地址线是原来的1/2,且地址信号分行,列两次传送。
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刷新
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集中刷新
- 固定时间对所有行进行逐一再生,存在死区,存取速度高
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分散刷新
- 把刷新分散到各个工作周期中。无死区,但加长了存取周期。
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异步刷新
- 将刷新周期除以行数,得到两次刷新操作之间的时间间隔,利用逻辑电路每隔时间t产生一次刷新请求。可避免使CPU连续等待过长的时间,而且减少了刷新次数,提高了效率。
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Subtopic 4
- Subtopic 1
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刷新注意:
半导体存储器详解

本文深入解析SRAM与DRAM的工作原理及特性,探讨SRAM作为Cache的优势,DRAM作为主存系统的理由,以及DRAM刷新机制的不同类型。同时,对比易失性存储器与刷新的区别,介绍只读存储器的类型及其特点。
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