2SK2799-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 2SK2799-VB MOSFET 产品简介

2SK2799-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），封装形式为 TO220。该型号 MOSFET 具有较高的漏源电压和低导通电阻，适用于多种高性能电源管理和开关应用。

### 2SK2799-VB 详细参数说明

- **封装类型**：TO220
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：650V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：420mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：11A
- **技术类型**：SJ_Multi-EPI

### 适用领域和模块的应用举例

2SK2799-VB MOSFET 由于其高漏源电压和低导通电阻的特性，适用于多种高性能应用。以下是一些具体应用领域和模块示例：

1. **电动汽车充电桩**：在电动汽车充电桩中，2SK2799-VB 可用作功率开关器件，提供高效、可靠的电能转换和管理。
2. **工业电源**：在工业电源设备中，该 MOSFET 可用于开关模式电源（SMPS）、逆变器等，实现高效、稳定的电能转换。
3. **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中，2SK2799-VB 可用于控制和转换太阳能电池板产生的直流电，供给家庭或工业用电。
4. **医疗设备**：在需要高性能电源管理的医疗设备中，该 MOSFET 可确保设备的安全、稳定运行。
5. **高性能电源模块**：用于制造高性能电源模块，如电源适配器、服务器电源等，提供高效、可靠的电源输出。