熬夜也要有技巧

熬夜也要有技巧,才能依然身体硬朗,否则,铁打的身体,也受不了如此的日夜操劳呢~因此,想要熬夜的您,千万记住:

1:不要吃泡面来填饱肚子,以免火气太大,最好尽量以水果、土司、面包、清粥小菜来充饥。

2:开始熬夜前,来一颗维他命B群营养丸,维他命B能够解除疲劳,增强人体免疫力。

3:提神饮料,最好以绿茶为主,可以提神,又可以消除体内多余的自由基,让您神清气爽;但是肠不好的人,最好改喝枸杞子泡热水的茶,可以解压,还可以明目呢!

4:熬夜前千万记得卸妆,或是先把脸洗干净,以免厚厚的粉层或油渍,在熬夜的煎熬下长满脸痘痘。

5:熬夜之后,第二天中午时千万记得打个小盹。生理时钟,一般而言熬夜是不容易补救的,补救的原则还是建议您改回原来的睡眠时间,尤其是熬夜会使生理时钟发生问题,此时要改回原先的睡觉时间会较难,可建议您不论前一晚多晚睡,次日一定同一时间起床(如设定7点起床),白天想睡时不可卧床大睡,仅能趴著小睡如此便能逐渐将入睡时间提早。

生理时钟说明

时段
00:00~01:00 浅眠期 多梦而敏感,身体不适者易在此时痛醒。

01:00~02:00 排毒期 此时肝脏为排除毒素而活动旺盛,应让身体进入睡眠状态,让肝脏得以完成代谢废物。

02:00~03:00 休眠期 重症病人最易发病的时刻,常有患病者在此时死亡,熬夜最好勿超过这个时间。

09:00~11:00 精华期 此时为注意力及记忆力最好,且工作与学习的最佳时段。

12:00~13:00 午休期 最好静坐或闭目休息一下再进餐,正午不可饮酒,易醉又伤肝哦!

14:00~15:00 高峰期 是分析力和创造力得以发挥淋漓的极致时段!

16:00~17:00 低潮期 体力耗弱的阶段,最好补充水果来解馋,避免因饥饿而贪食致肥胖。

17:00~18:00 松散期 此时血糖略增,嗅觉与味觉最敏感,不妨准备晚膳来提振精神。  
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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