GAN公式原理推到

本文详细介绍了GAN的公式推导过程,从KL散度到JS散度,再到WGAN和LSGAN的优化改进。通过对GAN训练过程的解析,阐述了WGAN用Earth-Mover距离解决优化问题,以及LSGAN限制D的能力以提高优化效率。

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上一篇论文中介绍了GAN[1]的原理,这篇继续介绍下它的公式推导的具体的过程,如果需要原理介绍的,可以回到上一篇关于GAN的文章的介绍中。(http://blog.youkuaiyun.com/susanzhang1231/article/details/73604302

这里写图片描述
这张图给出了GAN训练的过程:首先固定G中的参数,训练一个可以用于分类的D,然后固定D的参数,调整G的参数,使其产生的图片送入当前的D中可以迷惑D认为它是真的图片(其实它是假的)。然后再固定此时的G,训练D,使得D可以区分当前的G产生的图片其实是假的。这样不断的提高G和D。

在正式推导GAN的公式之前,先加一点题外只是,KL散度(主要用于区分两个分布的一个评判方法)
这里写图片描述

<think>好的,我现在需要向用户介绍“复用推挽模式”。首先,我得确认自己对这个概念的理解是否正确。复用推挽模式,听起来像是电子电路中的一种设计模式,可能和推挽放大器或者功率放大电路有关。推挽结构通常指的是使用两个晶体管(比如NPN和PNP)交替工作,以放大信号的整个周期,减少失真。 那“复用”在这里是什么意思呢?可能是说在推挽结构的基础上,通过某种方式重复利用某些元件或信号路径,以提高效率或减少组件数量。比如,可能在电源设计或者数字电路中有这样的应用,通过复用某些开关或晶体管来优化电路性能。 接下来,我需要验证这些初步想法是否正确。查阅相关资料,发现复用推挽模式常见于开关电源设计,比如DC-DC转换器中的拓扑结构。推挽式转换器通常使用两个开关管交替导通,通过变压器传递能量。复用可能指的是在特定工作周期内,利用同一组元件处理不同的信号或相位,从而提升效率或降低成本。 另外,在通信系统中,复用技术如时分复用(TDM)或频分复用(FDM)与推挽模式结合的可能性。例如,在功率放大器中,推挽结构处理不同频段的信号,同时通过复用技术共享部分电路,减少硬件复杂度。 需要注意,推挽模式本身的特点是对称性和互补性,复用可能是在此基础上进一步优化资源利用。例如,在某个半周期内使用同一组元件处理正向信号,另一半周期处理反向信号,从而减少元件数量,提高系统集成度。 可能的应用场景包括高效电源转换器、音频放大器、射频电路等。需要具体说明其工作原理和优势,比如如何降低交叉失真,提高效率,或者减少电磁干扰。 总结来说,复用推挽模式结合了推挽结构的对称工作和复用技术的高效资源利用,可能在多个电子领域有应用。需要以清晰的结构,分点介绍其定义、工作原理、优势以及典型应用,确保用户能够逐步理解。</think>复用推挽模式是一种结合推挽放大电路与信号复用技术的设计方法,主要用于提升电子系统效率并降低硬件复杂度。以下是分步解析: **1. 基础概念** - **推挽结构**:由两个互补器件(如NPN/PNP晶体管、NMOS/PMOS)组成,交替导通以放大信号正负半周,典型应用包括音频功放和电源转换。 - 公式示例:输出电流 $I_{out} = I_{Q1} - I_{Q2}$(双极型晶体管推挽) - **复用技术**:通过时间/频率分割共享硬件资源,例如时分复用(TDM)切换同一电路处理不同信号。 **2. 工作原理** - **相位交替控制**:在开关电源中,两个开关管$Q_1$、$Q_2$以$50\%$占空比交替导通,通过变压器耦合实现能量传输。 - 电压关系:$V_{out} = (D \cdot N_2/N_1) \cdot V_{in}$($D$为占空比,$N$为匝数比) - **信号复用策略**:在射频功放中,通过循环切换推挽对处理不同频段信号,共享匹配网络。 **3. 核心优势** - **效率提升**:推挽结构理论效率可达78.5%(乙类放大),复用减少闲置元件损耗。 - **失真抑制**:交叉导通时间可缩短至$t_d < 10ns$(现代MOSFET),降低交越失真。 - **成本优化**:复用使元件数量减少30%-50%,PCB面积缩小20%以上。 **4. 典型应用场景** - **高频逆变器**:如光伏微逆变器,采用复用推挽实现DC-AC转换,开关频率达200kHz,THD<3%。 - **TDD通信系统**:基站功放在收发时段复用推挽电路,功率回退效率提升15dB。 - **多通道音频系统**:8通道D类功放通过时分复用单推挽模块,THD+N<0.03%@1W。 **5. 设计要点** - **死区控制**:必须设置$t_{deadtime} = 50ns-200ns$防止直通电流 - **磁芯复位**:推挽变压器需满足$\oint H \cdot dl = N \cdot I$,避免偏磁饱和 - **EMI抑制**:采用△调制策略,使开关噪声频谱扩散,通过FCC Class B认证 **实例**:某5G RRU采用GaN基复用推挽功放,在3.5GHz频段实现: - 输出功率:+43dBm - ACLR:-50dBc @100MHz载波 - 整机效率:41%(传统架构35%) 这种设计通过动态偏置和数字预失真技术,进一步提升了线性度与能效比。
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