EEPROM 和Flash 区别

最新推荐文章于 2025-03-13 08:47:10 发布
最新推荐文章于 2025-03-13 08:47:10 发布
阅读量1.9k 收藏 3
点赞数
分类专栏： 硬件大类
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/Sun19910114/article/details/50468313
版权
本文介绍了EEPROM和FLASHROM两种非易失性存储器的主要区别。EEPROM支持逐字节编程和擦除，适用于小容量频繁更新的应用；而FLASHROM则采用块擦除方式，适合大规模数据存储。此外还探讨了它们的典型应用场景。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

对于EEPROM不需要擦除，可以直接进行编程操作，对于FLASH ROM，需要先擦除芯片内的内容，然后才可以写入新的内容。
EEPROM以字节擦除，FLASH以扇区擦除.
从使用角度看，EEPROM可以1个字节1个字节的写，写的时候没有限制。比如 24C02
FLASH写只能把1写为0，不能把0写为1。要想把0变成1，只能按块擦除，擦除后整块全为0xff。比如AM29F040B
EEPROM与FLASH
聪聪的成长之路
06-24 2334
Flash是一种非易失性存储器技术，广泛用于各种电子设备中，如计算机、手机、相机等。非易失性意味着即使断电，存储的数据也不会丢失。Flash分为NOR Flash和NAND Flash：NOR Flash容量小价格高，可以上电使用，通过总线与CPU连接，也可以片内执行，可用于设备启动；NAND Flash容量大，价格便宜，必须初始化才能使用，通过NandFlash控制器与CPU通信。2.特性非易失性：断电后数据不丢失。可擦除和重写：Flash存储器可以多次擦除和写入数据。高密度和低成本。
FLASH和EEPROM的区别
BiGmowang的博客
03-08 1160
FLASH和EEPROM主要有以下区别:数据量和频率：擦写操作：速度：使用场景：
EEPROM和flash的区别
热门推荐
yuanlulu的博客
01-25 10万+
<br />之前对各种存储器一直不太清楚，今天总结一下。<br /><br />存储器分为两大类：ram和rom。<br /><br />ram就不讲了，今天主要讨论rom。<br /><br />rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了prom，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照
EEPROM与FLASH的差别
最新发布
IFLY513的博客
03-13 468
操作粒度EEPROM 支持字节级擦写，灵活性高；Flash 需整块擦除，适合批量数据操作。寿命与容量EEPROM 寿命长但容量小；Flash 容量大但寿命较短（尤其是 NAND Flash）。成本与速度EEPROM 成本高、速度慢；Flash 成本低、速度快。
浅谈 EEPROM 与 FLASH 存储器
程序员「阿基米东」的编程之旅
06-01 6854
　　在计算机系统里头，我们常见的非易失性存储介质有 ROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH 存储器以及磁盘等等。其中 ROM、PROM、EPROM 都是微机发展初期的产物，当然现在的一些场合仍然在使用，比如一次编程的 OTP。 　　ROM（Read Only Memory，只读存储器）中的数据是在 ROM 的制造工序中，在工厂用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改。所以...
FLASH和EEPROM对比
daizhifeng123468的博客
05-14 1516
FLASH和EEPROM特点对比
学习笔记：EEPROM 与 FLASH 存储器
Liu1013216383的博客
10-12 1万+
1、EEPROM的发展(1)ROM(Read Only Memory):真正意义上的只读存储器，在出厂的时候数据就写在了芯片里，只能读不能写；(2)PROM(Program Rom):可编程只读存储器，可编程的ROM芯片，出厂的时候芯片是空白的，自己可以写入一次数据，一旦写进去芯片也是只能读不能写；
EEPROM和flash区别
09-11
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦可编程只读存储器）和Flash存储器都是非易失性存储技术，它们能够在断电后保持数据。尽管两者有相似之处，但它们在设计和使用上有一些主要的...
rom,ram,eeprom,flash区别.pdf
11-24
标题中的“rom,ram,eeprom,flash区别.pdf”是指一份文档，主要讲解了四种不同类型的半导体存储器：ROM（只读存储器）、RAM（随机访问存储器）、EEPROM（电可擦可编程只读存储器）和Flash存储器。这些存储器在计算机...
FLASH模拟EEPROM实验.zip_STM32F103 flash_flash 模拟eeprom_flash模拟eepro
07-14
首先，我们需要理解Flash和EEPROM的区别。Flash是一种快速编程和擦除的非易失性存储器，适合存放程序代码，但其擦写次数有限，频繁的写操作会影响其寿命。而EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only ...
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别
04-03
单片机常用的内存EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别。单片机必学。
在掉电时如何保护数据到EEPROM中
07-29
本文主要介绍在掉电时如何保护数据到EEPROM中，感兴趣的朋友可以看看。
如何擦除EEPROM数据
04-14
该文件包含详细的如何擦除EEPROM数据的程序。
flash 和 eeprom 区别和关系、nor flash和nand flash区别
学海无涯的专栏
03-28 1万+
1、FLASH存储器和EEPROM存储器的区别 2、EEPROM介绍及与Flash区别_VirtuousLiu的博客-优快云博客_eeprom EEPROM 芯片和flash的特点都是断电数据保留，可以存放不同的数据。 flash是用来存储程序、代码的，在运行过程中不能改； EEPROM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变。 一般来说eeprom中存放开机是用到的参数，不可丢失的变量等，而FLASH中会存放程序，记录文件等。 现在的单片机mcu, RAM主要是做运行时数据存储器； F..
九，内部EEPROM读，写，擦
u013168074的博客
07-04 4631
个字节，写之前必须擦除，但擦除是以扇区为单位的，不能单独擦写某个字节。擦写对一些断电保存的参数比较有用，先在数据手册里看一下。的数据就算断电也不会丢失，可以读出来继续使用，这就是。根据上面主要的控制寄存器，修改后的程序如下；我们写个例子，记录按键断电前最后一次的键值。配置的读，写，擦可以在下载工具里面复制出来。保存的数据可以在掉电的时候不丢失，配置内部。了，有的会固定大小，这款是下载的时候可设置。主要不通用的地方，若工作频率为。是有若干个扇区的，每扇区包含。是主要需要修改的地方，给。，其他频率以此类推。
EEPROM的最小擦除单元居然不是字节，而是页！
BachelorTse的博客
07-29 848
如果需要写入的数据都在同个页面，那么只需发起一次IIC通讯即可，若超过页范围，则超出的数据将覆盖至页首；而需要写入的数据在两个连续的页面，则需发起两次IIC通讯，写完第一个页的数据再写第二个页的数据。在EEPROM内部，逻辑单元会从EEPROM中读取该页的数据复制至数据缓冲区（一般与页大小相同），然后与待写入的数据合并，擦除整页后将完整的页面数据写回到EEPROM中。
STC8--EEPROM
m0_51371386的博客
11-26 3132
先使能IAP， 然后设置 IAP_CMD = 1;（1读，2写，3擦除），接着是地址16位地址分别放入两个8位地址寄存器里面，然后触发命令执行后等待一个_nop_();关于在字节上写0来进行赋值，比如给一个0xFF写0x02，就会将倒数第二为以外的位全部清0，写位数据后，再就只能往里面写0了（后面写了0，就彻底不能写其他数）//设置IAP擦除命令。//设置IAP低地址。//设置IAP高地址。//设置IAP写命令。//设置IAP低地址。//设置IAP高地址。//设置IAP低地址。//设置IAP高地址。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值